TI/AL/NI/AU

作品数：14被引量：12H指数：2
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Effect of annealing temperature on Ti/Al/Ni/Au ohmic contacts on undoped AlN films
《Journal of Semiconductors》2017年第11期109-112,共4页Xuewei Li Jicai Zhang Maosong Sun Binbin Ye Jun Huang Zhenyi Xu Wenxiu Dong Jianfeng Wang Ke Xu 
The Ti/Al/Ni/Au metals were deposited on undoped AlN films by electron beam evaporation. The influence of annealing temperature on the properties of contacts was investigated. When the annealing temperatures were betw...
关键词：ohmic contacts AlN annealing temperature Ti/Al/Ni/Au 
Analysis of the ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au to AlGaN/GaN HEMTs by the multi-step annealing process
《Journal of Semiconductors》2012年第6期31-36,共6页颜伟 张仁平 杜彦东 韩伟华 杨富华 
supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB934104)
The multi-step rapid thermal annealing process of Ti/Al/Ni/Au can make good ohmic contacts with both low contact resistance and smooth surface morphology for AlGaN/GaN HEMTs.In this work,the mechanism of the multi-ste...
关键词：AlGaN GaN high electron mobility transistor annealing ohmic contact 
Ohmic Contact Property of Ti/Al/Ni/Au on AlGaN/GaN Heterostructures for Application in Ultraviolet Detectors
《Journal of Semiconductors》2008年第11期2187-2191,共5页张军琴 杨银堂 柴常春 李跃进 贾护军 
the Pre-Research Foundation from the National Ministries and Commissions(Nos.51323040118,513080302)~~
Ohmic contacts of Ti/Al/Ni/Au multi-layer metal on A10.27 Ga0.73N/GaN heterostructures were fabricated. Specific contact resistivities were measured by the linear transmission line method （LTLM） and the circular tra...
关键词：ALGAN/GAN ohmic contact specific contact resistivity transmission line method TI/AL/NI/AU ultravi-olet detectors 
n-GaN基Ti/Al/Ni/Au的欧姆接触高温特性被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第6期984-988,共5页张跃宗 冯士维 张弓长 王承栋 吕长志 
国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2006AA03A112)~~
研究了在高温工作环境下Ti/Al/Ni/Au(15nm/220nm/40nm/50nm)四层复合金属层与n-GaN的欧姆接触的高温工作特性.退火后样品在500℃高温下工作仍能显示出良好的欧姆接触特性;接触电阻率随测量温度的增加而增大,且增加幅度与掺杂浓度有密切...
关键词：欧姆接触 接触电阻率 退火 高温 
AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触被引量：2
《Journal of Semiconductors》2006年第10期1823-1827,共5页杨燕 王文博 郝跃 
国防科技预研(批准号:41308060106);国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102)资助项目~~
通过改变Ti/Al的结构及退火条件,研究了AlGaN/GaN异质结构上Ti/Al/Ni/Au金属体系所形成的欧姆接触.结果表明,Ti/Al/Ni/Au金属厚度分别为20,120,55和45nm,退火条件为高纯N2气氛中850℃、30s时在AlGaN/GaN异质结构上获得了良好的欧姆接触...
关键词：ALGAN/GAN TI/AL/NI/AU 欧姆接触 高电子迁移率晶体管 
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