T形栅

作品数：12被引量：5H指数：2
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100nm GaAsMHEMT器件研制
《固体电子学研究与进展》2012年第6期548-550,589,共4页康耀辉 徐筱乐 高建峰 陈辰 
应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了...
关键词：渐变组分高电子迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制
《固体电子学研究与进展》2010年第1期51-53,128,共4页康耀辉 高建峰 黄念宁 陈堂胜 
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al...
关键词：渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
《固体电子学研究与进展》2009年第2期167-169,共3页康耀辉 张政 朱赤 高剑锋 
应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的I...
关键词：渐变组分高迁移率晶体管 T形栅 截止频率 
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