云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- VCSEL

VCSEL: 作品数：399被引量：516H指数：10; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王智勇代京京兰天王立军宁永强更多>>; 相关机构：北京工业大学中国科学院长春理工大学西南大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划吉林省科技发展计划基金更多>>

Single-fundamental-mode cryogenic(3.6 K)850-nm oxideconfined VCSEL: 《Journal of Semiconductors》2024年第10期69-73,共5页Anjin Liu Chenxi Hao Jingyu Huo Hailong Han Minglu Wang Bao Tang Lingyun Li Lixing You Wanhua Zheng; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62275243,62075209,and 61675193);the Beijing Natural Science Foundation(No.Z200006).; Cryogenic oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL)has promising application in cryogenic optical interconnect for cryogenic computing.In this paper,we demonstrate a cryogenic 850-nm oxide-confined ...; 关键词：VCSEL cryogenic temperature cryogenic computing optical interconnect

70 Gbps PAM-4850-nm oxide-confined VCSEL without equalization and pre-emphasis被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2024年第5期5-7,共3页Anjin Liu Bao Tang Zhiyong Li Wanhua Zheng; supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.62075209,62275243,and 61675193);the Beijing Natural Science Foundation(No.Z200006).; Directly modulated 850-nm vertical-cavity surface-emitting lasers(VCSELs)with the advantages of low cost,high modulation speed,good reliability,and low power consumption,are the key sources in the optical interconnect...; 关键词：RETURN CONFINED fibers

Impact of damping on high speed 850 nm VCSEL performance被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2018年第11期51-54,共4页Shuai Hu Xiaoying He Yan He Jiale Su Chong Li Anqi Hu Xia Guo; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos.61335004,61675046,61505003);the Open Fund of IPOC2017B011(BUPT); High speed VCSELs are important optical devices in short-reach optical communication links and interconnects because of their low cost and high modulation speeds. In this paper, the impact of damping on the their stat...; 关键词：VCSELS K factor DAMPING

Comprehensive and fully self-consistent modeling of modern semiconductor lasers被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2016年第2期45-56,共12页W.Nakwaski R.P.Sarza?a; the partial support from the Polish National Science Centre (2014/13/B/ST7/00633); The fully self-consistent model of modern semiconductor lasers used to design their advanced structures and to understand more deeply their properties is given in the present paper. Operation of semiconductor lasers d...; 关键词：semiconductor lasers simulation model EEL VCSEL VECSEL DBF QCL

垂直腔面发射激光器的温度模型被引量：2: 《Journal of Semiconductors》2007年第7期1125-1129,共5页梁锋高建军田学农; 国家自然科学重点基金(批准号:NSFC60536010);新世纪人才支持计划(批准号:NCET-05-0464)资助项目~~; 针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(V-I特性),通过引入温度控制的泄漏电流来模拟激光器的输出特性...; 关键词：VCSEL 等效电路模型温度效应

掩埋隧道结VCSEL芯片小信号等效电路模型被引量：1: 《Journal of Semiconductors》2006年第11期2015-2018,共4页徐桂芝 Hofmann W 黄亨沛张韬谢亮祝宁华 Amann M C; 国家自然科学基金(批准号:60510173;60536010;60506006);德国基金委资助项目~~; 提出了适用于一种1.55μm掩埋隧道结垂直腔面发射激光器(VCSEL)芯片的小信号等效电路模型.等效电路的提出是基于半导体激光器速率方程以及VCSEL芯片结构,电路中各元件都有严格的物理意义.根据实验测得芯片的反射系数及传输参数,通过小...; 关键词：VCSEL 等效电路模型 S参数模拟

掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2006年第z1期309-313,共5页刘成吴惠桢劳燕锋黄占超曹萌; 国家重点基础研究发展计划资助项目(批准号:2003CB314903); 采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p+-AlInAs-n+-InP隧道结性能优于p+-InP-n+-InP隧道结.在InP(1...; 关键词：隧道结垂直腔面发射激光器光电特性

High Speed VCSEL-Based Parallel Optical Transmission Modules: 《Journal of Semiconductors》2005年第8期1500-1503,共4页陈弘达申荣铉裴为华贾九春唐君周毅许兴胜; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA312080g,2002AA312240)~~; Design and fabrication of a parallel optical transmitter are reported. The optimized 12 channel parallel optical transmitter,with each channel＇s data rate up to 3Gbit/s,is designed, assembled, and measured. A top-emi...; 关键词：VCSEL parallel optical transmission 12 channel fiber array MODULES

850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性被引量：8: 《Journal of Semiconductors》2005年第5期1024-1027,共4页张永明钟景昌赵英杰郝永芹李林王玉霞苏伟; 兵器工业总公司"十五"支撑资助项目~~; 采用热封闭系统对850nm氧化物限制型VCSEL的温度特性进行了研究．实验证实该器件在80℃仍能正常工作，在20～80℃的温度区间内，器件的斜率效率由0．3mW／mA降到0．2mW／mA．根据阈值电流的温度依赖性得出T0=350K，器件的基模红移为0．1...; 关键词：垂直腔面发射激光器氧化物限制温度特性

10Gbit/s并行光收发模块在万兆以太网的应用: 《Journal of Semiconductors》2005年第z1期233-237,共5页周毅陈弘达左超贾久春申荣铉; 国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2001AA122032,2002AA312240); 介绍了万兆以太网技术(10 gigabit ethernet technology).万兆以太网使用以太网结构实现10Gbit/s点对点传输,距离可达到40km,使以太网的应用从局域网扩展到城域网和广域网.重点介绍了万兆以太网的功能结构、分层结构、物理传输介质和甚...; 关键词：10G ETHERNET XAUI XGMII VSR VCSEL

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