BI4TI3O12铁电薄膜

作品数:7被引量:3H指数:1
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相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>
相关作者:于军郭冬云王耘波李伟李岩更多>>
相关机构:华中科技大学武汉理工大学南京大学湘潭大学更多>>
相关期刊:《电子元件与材料》《压电与声光》《山西大同大学学报(自然科学版)》《功能材料》更多>>
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稀土掺杂Bi4Ti3O12铁电薄膜取向生长回线动力学研究
《山西大同大学学报(自然科学版)》2019年第3期1-6,10,共7页康永 
稀土掺杂层状钙钛矿结构的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有居里温度高,自发极化大,耐疲劳性好的特点,适用于制作铁电储存器。由于Bi4Ti3O12铁电薄膜的自发极化矢量靠近a轴,近a轴生长的Bi4Ti3O12铁电薄膜具有大的剩余极化强度。对比研究了随机取向...
关键词:铁电薄膜 极化矢量 取向生长 极化强度 回线动力学 
溶胶凝胶法制备钛酸铋薄膜中溶胶浓度对薄膜厚度和粗糙度的影响及拉曼光谱的研究
《伊犁师范学院学报(自然科学版)》2018年第1期29-34,共6页余娟 王晓云 马蕊 尚洁萤 尹红梅 
新疆自然科学基金项目“含Bi层状钙钛矿型多铁薄膜的取向控制生长研究”(2015211C296)
采用溶胶-凝胶工艺,在Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片上以不同浓度的溶胶制备出Bi层状钙钛矿Bi_4Ti_3O_(12)薄膜,用APEX型多功能力学测试系统的3D显微镜模块和拉曼光谱仪对其进行表征.结果表明:在一定范围内,不同浓度的溶胶制备出的薄膜厚度...
关键词:BI4TI3O12铁电薄膜 溶胶-凝胶法(Sol-Ge) 微观结构 拉曼分析 
硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究
《功能材料》2010年第11期1876-1878,1882,共4页王耘波 高俊雄 郭冬云 于军 魏龙 
国家自然科学基金资助项目(60971008)
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-...
关键词:慢正电子束 多普勒展宽谱 BI4TI3O12铁电薄膜 缺陷 
Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备及研究进展
《电工材料》2008年第3期42-45,共4页黄小丹 许积文 
教育部科学技术研究重点项目(208109);广西科学基金项目(桂科自0832247)
铁电薄膜具有良好的铁电、介电性能,在非挥发存储器件方面有很好的应用前景。本文介绍了钛酸铋(Bi4Ti3O12)铁电薄膜的研究现状,对目前Bi4Ti3O12铁电薄膜最常用的几种主要制备方法及其掺杂改性进行了评述,指出了Bi4Ti3O12铁电薄膜研究中...
关键词:BI4TI3O12铁电薄膜 研究进展 掺杂 
金属/SiO_2/Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的J-V特性被引量:3
《电子元件与材料》2005年第10期8-10,共3页李建军 王耘波 郭冬云 王龙海 高峻雄 于军 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90407023)
采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜.测试了其在直流电场下流过铁电薄膜的漏导电流J-V特性.测量结果显示正向漏电流明显小于负向漏电流.并讨论了金属–铁电薄膜所形成的整流接触特性,以及金属/SiO2/Si基Bi4Ti...
关键词:无机非金属材料 BI4TI3O12铁电薄膜 sol-gel方法 J-V特性 肖特基发射 空间电荷限制电流 
Bi4Ti3O12铁电薄膜I-V特性的研究
《功能材料》2004年第z1期1418-1421,共4页王华 李岩 
广西科学资助基金(0236062)
采用溶胶-凝胶工艺(Sol-Gel)在Pt/Ti/SiO2/p-Si衬底上成功制备了低漏电流Bi4Ti3O12(BIT)铁电薄膜,对所得样品的漏导行为进行了研究.研究表明,Bi4Ti3O12薄膜的漏电流密度在+3V偏压下低于10-9A/cm2,满足器件应用的要求.在不同场强下薄膜...
关键词:铁电薄膜 BI4TI3O12 漏导机制 I-V特性 
复合靶溅射Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的结构和相变
《压电与声光》2002年第4期312-314,322,共4页刘海林 熊锐 金明桥 于国萍 李玲 
采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法 ,在 Si基片上沉积制备 Bi4 Ti3O1 2 (BTO)铁电薄膜 ,用变温 X-射线及热分析等方法研究 BTO铁电薄膜的结构和相变 ,结果表明 ,在温度为 35 0~ 4 4 5°C之间 ,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结...
关键词:BTO薄膜 复合靶 溅射 BI4TI3O12铁电薄膜 相变 
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