CMOS低噪声放大器

作品数:74被引量:135H指数:5
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宽带高增益输出平衡CMOS低噪声放大器的设计
《半导体技术》2017年第10期721-725,共5页邹雪城 余杨 邹维 任达明 
国家自然科学基金资助项目(61376031)
设计了一种带片内变压器、适用于0.05~2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA)。电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路。针对变压器结构的LNA噪声系数不够低和输出不平衡...
关键词:宽带低噪声放大器 射频 噪声消除 输出平衡 无线接收机 
CMOS低噪声放大器中的输入匹配研究与设计被引量:2
《半导体技术》2007年第6期486-489,共4页张炜 冯全源 
国家自然科学基金资助项目(60371017)
分析了低噪声放大器设计中最常用的源极电感负反馈输入匹配结构,指出其存在的缺陷及如何改进,即利用一个小值LC网络代替大感值的栅极电感Lg,同时移除源极负反馈电感Ls。应用这种改进型输入匹配结构,基于0.18μm BSIM3模型设计了工...
关键词:低噪声放大器 输入阻抗匹配 互补金属氧化物半导体 
2.4GHz CMOS低噪声放大器的设计被引量:2
《半导体技术》2006年第9期706-708,711,共4页王林 徐国栋 
国家973资助项目(51312)
设计了一个共源-共源共栅的两级低噪声放大器,并且在两级之间采用了串联谐振回路来提高电路的性能。该电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺,电源电压为1.8V。仿真结果显示,在2.45GHz的中心频率上,该电路能够提供26.92dB的正向增益及很好的输入...
关键词:低噪声放大器 互补金属氧化物半导体 射频集成电路 螺旋电感 
一种新型900MHz CMOS低噪声放大器的设计被引量:1
《半导体技术》2004年第1期63-67,共5页危长明 陈迪平 王镇道 陈永洁 
对两种低噪声放大器(LNA)的构架进行了比较,详细推导了共源LNA的噪声系数与输入晶体管栅宽的关系及优化方法,设计了一种采用0.6μm标准CMOS工艺,工作于900MHz的新型差分低噪声放大器。在900MHz时,噪声系数为1.5 dB的情况下可提供22.5 d...
关键词:CMOS 低噪声放大器 噪声系数 射频集成电路 
1.8GHz 0.35mm CMOS低噪声放大器的实现被引量:1
《半导体技术》2002年第8期46-49,57,共5页马晓民 王文骐 
上海市科委PCD专项基金计划资助(017015030)
介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。
关键词:低噪声放大器 CMOS 螺旋电感 语言通信 LNA 
一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计被引量:1
《半导体技术》2002年第5期36-39,共4页张振勇 胡伟 赵勇 杨莲兴 
介绍了一个采用0.18mm 1.8V RF CMOS工艺,适合 GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果。在935~960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,I...
关键词:低噪声放大器 噪声系数 功率增益 阻抗匹配 CMOS 
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