CMOS射频

作品数：58被引量：97H指数：5
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相关机构：清华大学中国科学院大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学更多>>
相关期刊：《数字技术与应用》《读写算（教师版）（素质教育论坛）》《电子学报》《集成电路应用》更多>>
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一种LC型CMOS射频带通滤波器及其自动调谐被引量：3
《电子器件》2010年第6期691-695,共5页林之恒 侯政雄 田秋霜 张永来 高志强 
介绍了一种二阶可调谐CMOSLC型射频带通滤波器及与其匹配的压控振荡器设计。品质因数很高而且可以通过负电导发生电路调谐。目标频率由一组分立的亚波段组成,通过电容阵列来控制。仿真结果表明,滤波器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,工作电压3...
关键词：LC带通滤波器 Q增强 自动调谐 振荡器 
多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用被引量：1
《电子器件》2008年第4期1150-1154,共5页沈怿皓 张润曦 张炜杰 陈亦灏 李勇 景一欧 赖宗声 
上海市科委项目资助(AM-06SA14);江苏省ASIC设计重点实验室资助(JSICK0601);上海市科委基金项目资助(AM07SA04)
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多...
关键词：CMOS射频集成电路 双曲正切法则 线性度 混频器 
一种1.5 GHz 0.25 μm CMOS低噪声放大器设计被引量：1
《电子器件》2008年第3期841-844,共4页王良坤 马成炎 叶甜春 
提出并设计了一种应用于GPS接收机中的1.5 GHz低噪声放大器,该放大器采用TSMC 0.25 μm RF CMOS工艺制作。与传统的共源共栅结构相比,该电路引入了级间耦合电容,使整个电路的功率增益、噪声系数等关键性能指标得到改善。该放大器的正向...
关键词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 耦合电容 噪声系数 全球定位系统 
应用于802.11a的5.7GHz CMOS LNA设计被引量：2
《电子器件》2007年第2期365-369,共5页袁志勇 景为平 
国家自然科学基金项目资助(90407009);江苏省高技术研究(工业部分)项目资助(BG2005022)
使用0.18μm CMOS工艺设计应用于802.11a WLAN的U-NII高频段5.7GHz的LNA.首先选取LNA结构,推导出噪声模型,然后选取在固定功率消耗下最小噪声系数对应的晶体管尺寸,再进行输入输出阻抗匹配和电路调整优化.在使用Bond Wire不加Pad时提供-...
关键词：CMOS射频集成电路 低噪声放大器 噪声分析 无线局域网 
CMOS射频低噪声放大器的设计被引量：3
《电子器件》2005年第3期489-493,共5页王磊 余宁梅 
日本OKI公司资助项目
讨论了CMOS射频低噪声放大器的相关设计问题,对影响其增益、噪声系数、线性度等性能指标的因素进行了分析,并综述了几种提高其综合性能指标的方法。在此基础上,采用SMIC0.25μmCMOS工艺库,给出了3.8GHzCMOSLNA的设计方案。HSPICE仿真结...
关键词：CMOS工艺 CMOS射频集成电路 CMOS射频低噪声放大器 
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