COSI2

作品数：14被引量：4H指数：1
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自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》1996年第4期294-299,共6页邵凯 李炳宗 邹斯洵 黄维宁 吴卫军 房华 於伟峰 姜国宝 俞波 张敏 
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等...
关键词：CMOS器件 外延生长 COSI2 
CoSi_2可望成为GaAs　MESFET自对准工艺中的栅极材料被引量：1
《Journal of Semiconductors》1994年第8期518-523,共6页金高龙 陈维德 许振嘉 
本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄...
关键词：MESFET 砷化镓 COSI2 栅极 材料 
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