CVD生长

作品数：43被引量：94H指数：6
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相关作者：卢焕明叶志镇黄靖云刘忠范成会明更多>>
相关机构：中国科学院浙江大学北京大学中国科学技术大学更多>>
相关期刊：《科学通报》《微纳电子技术》《化学学报》《液晶与显示》更多>>
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气相反应对CVD生长石墨烯的影响被引量：6
《物理化学学报》2022年第1期36-51,共16页陈恒 张金灿 刘晓婷 刘忠范 
国家重点基础研究发展规划项目(2016YFA0200103,2018YFA0703502);国家自然科学基金(51520105003,52072042);北京分子科学国家研究中心(BNLMS-CXTD-202001);北京市科学技术委员会(Z18110300480001,Z18110300480002)资助。
化学气相沉积法(CVD)制备的石墨烯薄膜具有质量高、均匀性好、层数可控且可放大等优点,近年来受到了学术界和工业界的广泛关注。在高温CVD生长过程中,除衬底表面的反应外,气相反应同样会影响石墨烯的生长行为和薄膜质量。本文将综述气...
关键词：石墨烯薄膜 化学气相沉积 气相反应 高品质 可控制备 
铜基石墨烯的CVD法制备工艺参数研究被引量：1
《华中科技大学学报（自然科学版）》2014年第10期5-9,共5页杨连乔 冯伟 王浪 张建华 
国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB013100)
采用乙炔作为碳源,分析了碳源浓度、生长时间等参数对铜基石墨烯成核密度、生长速率及单层覆盖率的影响,通过热氧化法系统展示了石墨烯形核、长大、生长结束的全过程.研究发现;碳源浓度较小时成核密度较低,所得石墨烯晶粒更大,但单个多...
关键词：石墨烯 CVD生长 铜 碳源浓度 热板法 
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长被引量：3
《材料科学与工程学报》2009年第1期118-120,共3页成步文 薛春来 罗丽萍 韩根全 曾玉刚 薛海韵 王启明 
"973"基金资助项目(2007CB613404);国家自然科学基金资助项目(60676005);"863计划"基金资助项目(2006AA03Z415)
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si...
关键词：硅基 Ge 外延 
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