FD-SOI

作品数：44被引量：21H指数：3
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相关机构：上海功成半导体科技有限公司中国科学院中国科学院大学中国科学院微电子研究所更多>>
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采用FD-SOI技术的嵌入式相变存储器满足汽车级严苛要求
《中国电子商情》2019年第12期33-35,共3页Fabio DISEGNI 
汽车微控制器正在挑战嵌入式非易失性存储器(e-NVM)的极限,主要体现在存储单元面积、访问时间和耐热性能三个方面。在许多细分市场(例如:网关、车身控制器和电池管理单元)上,随着应用复杂程度提高,存储单元面积成为决定性挑战;在汽车动...
关键词：非易失性存储器 存储单元 相变存储器 工作温度范围 车身控制器 微控制器 制动系统 网关 
FD-SOI技术助力中国半导体业快速崛起
《中国电子商情》2016年第4期12-13,共2页单祥茹 
FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是一项采用现有的制造方法和基础设施,通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅层来实现平面晶体管结构的技术。FD-SOI技术集成了两大互相协作的创新工艺：一是在底部硅层上部使用...
关键词：平面晶体管 半导体业 硅晶圆 FD-SOI技术 摩尔定律 埋层 芯片面积 电子产品 代工厂 副总裁 
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