氧化锌薄膜

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《电子科技文摘》2003年第6期6-6,共1页
0311734制备及钝化条件对多孔硅发光性能的影响[刊]/李宏建//光电子·激光,—2003,14(1),—54～57(C)0311735氧化锌宽禁带半导体薄膜的发光及其p-n结特性[刊]/林碧霞//固体电子学研究与进展,—2002,22(4),—417～420(D)报道了用直流反...
关键词：半导体薄膜 掺杂方法 氧化锌薄膜 多孔硅 固体电子学 异质结 反应溅射 受激发射 电压电流 宽禁带 
光电、光敏与发光材料
《电子科技文摘》2001年第10期11-12,共2页
0116421Alq和BBOT的紫外光谱与电化学行为的研究[刊]/郑//半导体光电.—2001,22（2）.—132～135（E）0116422硅酸锶中Pr3+的4f5d态的光谱特性及Pr3+→Gd3+的能量传递[刊]/初本莉//发光学报.—2001,22...
关键词：发光材料 氧化锌薄膜 发光学 光谱特性 电化学行为 光存储 紫外光谱 光致发光光谱 能量传递 光电子 
金属与导电材料
《电子科技文摘》2000年第8期5-5,共1页
Y2000-62067-209 0012437采用微波增强等离子体 MOCVD 生长 CaN=Growthof CaN by microwave plasma enhanced MOCVD[会,英]/Sani,R.A.& Barmawi,M.//1998 IEEE Inter-national Conference on Optoelectronic and MicroelectronicMateria...
关键词：金属有机化学汽相淀积 导电材料 等离子体 氧化锌薄膜 介电性能 固溶体 透明导电 生长率 微波 大学学报 
金属与导电材料
《电子科技文摘》2000年第5期6-6,共1页
Y2000-62004-213 0007255溅射参数对氧化锌薄膜的生长与压电特性的影响=Effect of the sputtering parameters on the growth andpiezoelectric properties of zinc oxide thin film[会,英]/Kutepova,V.P.& Hall,D.A.//Proceedings of 1...
关键词：溅射参数 导电材料 氧化锌薄膜 声表面波 应用潜力 磁控管溅射 薄膜淀积 压电特性 传感器 晶格应力 
掺杂、扩散、离子注入工艺
《电子科技文摘》1999年第5期37-38,共2页
Y98-61303-467 9905949硼的硼增强扩散:超浅结的限制因数=Boron-en-hanced-diffusion of boron:the limiting factor for ultra-shallow junctions[会,英]/Agarwal,A.& Eaglesham,D.J.//1997 IEEE International Electron Devices Meet-...
关键词：注入工艺 增强扩散 掺杂 超浅结 氧扩散 反应离子 因数 穿透深度 氧化物 氧化锌薄膜 
金属与导电材料
《电子科技文摘》1999年第4期6-6,共1页
Y98-61412-3 9904254GaN 的过去、今天和未来=Gallium nitride past、pre-sent,and future[会,英]/Yoder,M.N.//1997 IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High SpeedSemiconductor Devices and Circuits.—3～12(V)
关键词：导电材料 金属 氧化锌薄膜 超微粒 未来 构象 过去 制备 表面 活化反应蒸发 
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