云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- GAAS/ALXGA1-XAS

GAAS/ALXGA1-XAS: 作品数：10被引量：13H指数：2; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：班士良张雪枫王丽王丽青张敏更多>>; 相关机构：内蒙古大学兰州大学哈尔滨工业大学华北理工大学更多>>; 相关期刊：《中国学术期刊文摘》《唐山学院学报》《Chinese Physics Letters》《Frontiers of physics》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金河北省教育厅青年基金兵科院预研基金更多>>

Fractal dimension study of polaron effects in cylindrical GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires: 《Frontiers of physics》2018年第2期159-165,共7页Hui Sun Hua Li Qiang Tian; Polaron effects in cylindrical GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires are studied by applying the fractal dimension method. In this paper, the polaron properties of GaAs/AlxGa1-xAs core-shell nanowires with different co...; 关键词：core-shell nanowire polaron effects fractal dimension method

圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质态的电场效应: 《唐山学院学报》2017年第3期18-22,共5页何浩王广新; 河北省教育厅青年基金项目(QN2015050); 在有效质量近似理论下,利用变分法研究了外电场下圆柱形GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子环中类氢施主杂质束缚能。讨论了施主杂质束缚能与量子环尺寸(径向厚度、高度)、杂质位置以及外电场间的变化规律。结果表明:随着量子环径向厚度(高度)的增...; 关键词：圆柱形GaAs/AlxGa1-xAs 量子环电场效应施主杂质束缚能

有限厚势垒量子阱中杂质态结合能被引量：2: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2012年第2期125-130,共6页王丽班士良; 国家自然科学基金资助项目(60966001); 利用变分法对有限厚势垒GaAs/AlxGa1-xAs量子阱结构中杂质态结合能进行数值计算,给出杂质态结合能随阱宽、垒厚和杂质位置的变化关系,且与无限厚势垒情形进行比较.结果表明,有限厚势垒杂质态结合能明显小于无限厚势垒情形.同时,在中间...; 关键词：gaas/alxga1-xas量子阱有限厚势垒杂质态结合能

电磁学: 《中国学术期刊文摘》2006年第23期31-31,共1页; CO和CO2的1．58μm波段可调谐二极管激光吸收光谱的二次谐波检测研究,GaAs／AlxGa1-xAs超晶格在周期性磁场中电子的能带结构,聚苯乙烯／甲基丙烯酸磁性微球的制备与表征,一种基于传输线方程的埋地电缆电磁脉冲耦合时域分析方法,等效电...; 关键词：GAAS/ALXGA1-XAS 可调谐二极管激光吸收光谱电磁学二次谐波检测时域分析方法周期性磁场甲基丙烯酸传输线方程

有限深量子阱中电子迁移率的压力效应: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2005年第5期520-524,共5页郝国栋班士良; 国家自然科学基金资助项目(60166002);内蒙古自治区优秀学科带头人计划项目; 考虑量子阱中局域类体光学声子模及界面光学声子模的影响,采用介电连续模型,运用力平衡方程研究GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中声子模对电子迁移率影响随阱宽的变化关系及其压力效应.结果表明,在窄阱时迁移率主要受界面光学声子模的影响,随着...; 关键词：量子阱迁移率压力效应 GAAS/ALXGA1-XAS

有限势垒量子阱中极化子结合能的压力效应被引量：1: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2005年第1期31-37,共7页孟建英班士良王树涛; 国家自然科学基金资助项目(60166002); 计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能.得到了压力下三类光学声子模对极化子...; 关键词：极化子结合能量子阱压力效应 GAAS/ALXGA1-XAS

磁场对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结系统中束缚极化子的影响被引量：7: 《Journal of Semiconductors》2004年第12期1618-1623,共6页张敏班士良; 国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 1660 0 2 )~~; 对 Ga As/ Alx Ga1 - x As单异质结系统引入三角势近似异质结势 ,同时考虑体纵光学 (L O)声子和有效近似下两支界面光学 (IO)声子的影响 ,采用变分法讨论了外界恒定磁场对束缚于近界面杂质的光学极化子结合能的影响 .利用改进的 L ee- L...; 关键词：GAAS/ALXGA1-XAS 异质结磁场束缚极化子结合能

长周期掺杂超晶格GaAs/Al_xGa_(1-x)As红外吸收的研究: 《华北工学院学报》2000年第3期198-201,共4页杨晓峰许丽萍温廷敦; 兵科院预研基金;山西省自然科学基金联合资助项目; 目的　研究长周期掺杂超晶格 Ga As/Alx Ga1 - x As红外吸收的特性 ,尤其在 1 0 .6μm处的红外吸收 .方法　在有效质量的基础上 ,计算 Ga As/Alx Ga1 - x As系列超晶格材料能带及带间光吸收谱 .结果　发现当 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As的周...; 关键词：红外吸收 GAAS/ALXGA1-XAS TN213 超晶格

GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中的激子在纵向外电场中的性质被引量：3: 《半导体光电》1994年第3期232-236,共5页张福甲虎志明; 用变分法分别计算了ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱和多量子阱在纵向（垂直于异质结界面的方向）外电场作用下激子的基态能级，讨论了电场对激子的峰移、偶极振予强度和交换能的影响。; 关键词：量子阱激子纵向外电场砷化镓 ALXGA1-XAS

PHOTOREFLECTANCE OF TWO-DIMENSIONAL ELECTRON GAS IN THE SELECTIVELY DOPED GaAS/AlXGa1-XAs HETEROSTRUCTURE GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY: 《Chinese Physics Letters》1987年第6期283-285,共3页TANG Yinsheng JIANG Desheng; Room temperature photoreflectance were made on a selectively doped GaAs/n-Al_(X)Ga_(1-X)As two-dimensional electron gas grown by molecular beam epitaxy(MBE).The lineshapes can be made fit by Aspnes'theory,and the resu...; 关键词：GAAS BEAM

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