GAN异质结构

作品数：10被引量：25H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：沈波许福军唐宁张国义秦志新更多>>
相关机构：北京大学南京大学电子科技大学中国科学院更多>>
相关期刊：《半导体技术》《核技术》《稀有金属》《微纳电子技术》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金国家高技术研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体信息x
共 条 记 录，以下是1-1
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
新型GaN/Ga2O3 HEMT以及Ga2O3/GaN异质结构的外延生长
《半导体信息》2020年第3期14-16,共3页
来自德国和意大利的研究人员一直在探索在蓝宝石衬底上生长ε-多型氧化镓(ε-Ga2O3)和氮化镓(GaN)集合的外延生长方法,以期将其应用在高电子迁移率晶体管(HEMT)中(Stefano Leone等人,Journal of Crystal Growth,vol534,p125511,2020)。
关键词：GA2O3 外延生长 异质结构 氧化镓 GAN HEMT 蓝宝石衬底 Crystal 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部