GAN异质结构

作品数：10被引量：25H指数：2
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相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：沈波许福军唐宁张国义秦志新更多>>
相关机构：北京大学南京大学电子科技大学中国科学院更多>>
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背势垒对InAlN/GaN异质结构中二维电子气的影响被引量：2
《微纳电子技术》2014年第6期359-365,共7页甘天胜 李毅 刘斌 孔月婵 陈敦军 谢自力 修向前 陈鹏 陈辰 韩平 张荣 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900;2012CB619304);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA03A103);国家自然科学基金资助项目(60990311;61274003;61176063);新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-11-0229);江苏省自然科学基金资助项目(BK2011010;BY201377;BK2010385;BE2011132);重点实验室基金资助项目(9140C140102120C14);江苏省高校优势学科建设工程资助项目
利用有效质量理论自洽求解Poisson和Schrdinger方程理论研究了背势垒插入层对InAlN/GaN晶格匹配异质结构的电学性能的影响。研究表明,对于In0.17Al0.83N/AlN/GaN的异质结构,AlN的临界厚度为2.43 nm。此时,异质结中二维电子气(2DEG)浓...
关键词：INALN GAN异质结构 背势垒插入层 二维电子气(2DEG) 能带结构 电子迁移率 
Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结构中二维电子气的自旋性质
《微纳电子技术》2009年第2期65-69,共5页唐宁 沈波 韩奎 
国家重点基础研究发展规划项目(2006CB604908;2006CB921607);国家自然科学基金(60806042;10774001;60736033;60628402);教育部博士点基金(20060001018);北京市自然科学基金(4062017)
Ⅲ族氮化物材料有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一。介绍了目前两种最主要的研究AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)自旋性质的物理效应:磁电阻的舒伯尼科夫-德哈斯...
关键词：Ⅲ族氮化物半导体 异质结构 二维电子气 自旋 磁输运 
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