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作品数：49被引量：31H指数：2
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Controllable growth of GeSi nanostructures by molecular beam epitaxy被引量：1
《Journal of Semiconductors》2018年第6期51-65,共15页Yingjie Ma Tong Zhou Zhenyang Zhong Zuimin Jiang 
Project supports by the Natural Science Foundation of China(Nos.61605232,61674039);the Open Research Project of State Key Laboratory of Surface Physics from Fudan University(Nos.KF2016_15s,KF2017_05)
We present an overview on the recent progress achieved on the controllable growth of diverse GeSi al- loy nanostructures by molecular beam epitaxy. Prevailing theories for controlled growth of Ge nanostructures on pat...
关键词：Ge SI molecular beam epitaxy NANOSTRUCTURES CONTROLLABLE patterned substrates inclinedsurfaces preferential growth 
SiO_2上多晶GeSi再结晶性质的研究
《Journal of Semiconductors》1997年第3期169-174,共6页江宁 顾书林 余是东 郑有炓 
本文发展了一种SiO2上多晶GeSi再结晶的方法，研究了其再结晶性质．由RRH／VLP－CVD系统在SiO2上生长的性能优良的多晶GeSi材料，经能量为180keV，剂量为2×1014cm-2的Si+离子注入非晶化处理后，形成具有一定损伤分布的非晶层．由此，...
关键词：二氧化硅 硅化锗 再结晶 
温度对势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构的影响
《Journal of Semiconductors》1996年第8期561-566,共6页徐至中 
国家自然科学基金
采用有效质量近似下的包络函数方法，对在不同温度下的势垒区δ掺杂量子阱Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布进行了自洽计算．详细地研究了温度对势位及电子密度分布的影响．
关键词：势垒区 Δ掺杂 GESI SI 电子能带结构 温度 
势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布被引量：2
《Journal of Semiconductors》1996年第5期321-327,共7页徐至中 
在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何...
关键词：硅 GESI 量子阱 掺杂 电子能带结构 
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