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作品数：49被引量：31H指数：2
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GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
《电子学报》2000年第8期139-141,共3页董志伟 黎晨 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金!(No.698360 2 0 );国家九五重点科技项目!(攻关 )计划课题 97 760 0 3 0 1
为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响 ,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上 ,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析 .确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间...
关键词：GESI MOSFET 纵向结构 
GeSi　CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型被引量：3
《电子学报》1996年第5期7-12,共6页金晓军 梁骏吾 
本文首次提出了一个用以分析ＧｅｘＳｉ１－ｘ合金ＣＶＤ生长的流体力学和表面反应动力学的统一模型，利用流体力学的偏微分方程组计算了反应管内的速度场、温度场和浓度场。讨论了反应管中的质量传输对生长速度的影响和生长过程中锗和...
关键词：化学气相外延 外延生长 半导体材料 硅化锗 
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