黎晨

作品数：6被引量：16H指数：3
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供职机构：清华大学更多>>
发文主题：SIGESOIUHV/CVDSIGE器件调制掺杂更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光谱学与光谱分析》《微电子学》《电子学报》《固体电子学研究与进展》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第2期214-218,共5页李树荣 王纯 王静 郭维廉 郑云光 郑元芬 陈培毅 黎晨 
国家自然科学基金项目 ( No.698360 2 0 )
在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以...
关键词：SIGE CMOS集成电路 锗—硅合金 锗—硅沟道SOI互补金属—氧化物—半导体 设计 
调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用被引量：5
《微电子学》2002年第4期249-252,共4页史进 黎晨 陈培毅 罗广礼 
国家自然科学基金资助重点项目 (6 9836 0 2 0 );国家"九五"重点科技 (攻关 )计划课题 (97- 76 0 -0 3- 0 1)
在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,详细研究了长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能 (主要是跨导 )的影响。在器件模拟过程中 ,采用隐含的 Si Ge材料和 Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据...
关键词：SIGE器件 MOSFET 调制掺杂 应变 迁移率 跨导 
Near-Infrared Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n Photodetector Fabricated on SOI in CMOS Technology
《Journal of Semiconductors》2002年第1期16-20,共5页郭辉 郭维廉 郑云光 黎晨 陈培毅 李树荣 吴霞宛 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6983 60 2 0 )~~
A novel lateral Si 0 7 Ge 0.3 /Si p i n photodetector which is suitable for high speed operation with low voltage and at 0 7～1 1μm wavelengths is demonstrated.The fabrication of the device is carried ...
关键词：SOI SiGe p  i  n photodetector photodetecting 
一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第7期929-932,共4页黎晨 朱培喻 罗广礼 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金 (批准号 :6983 60 2 0 );国家"九五"计划 (项目号 :97-760 -0 3 -0 1)
在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge...
关键词：RMOSFET CMOS 锗化硅 场效应晶体管 
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
《光谱学与光谱分析》2001年第4期464-467,共4页朱培喻 陈培毅 黎晨 罗广礼 贾宏勇 刘志农 钱佩信 
国家九五重点科技项目 (攻关 )计划课题 :97 760 0 3 0 1 ;国家自然科学基金重点项目 :698360 2 0
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法...
关键词：Raman SIGE合金 UHV/CVD 弛豫 应变 硅锗膜 拉曼光谱分析 半导体薄膜 
GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
《电子学报》2000年第8期139-141,共3页董志伟 黎晨 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金!(No.698360 2 0 );国家九五重点科技项目!(攻关 )计划课题 97 760 0 3 0 1
为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响 ,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上 ,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析 .确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间...
关键词：GESI MOSFET 纵向结构 
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