郭辉

作品数：16被引量：36H指数：3
导出分析报告
供职机构：天津大学更多>>
发文主题：孔壁电容传感器SOI测量系统非接触测量更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术水利工程化学工程更多>>
发文期刊：《半导体技术》《电子学报》《微纳电子技术》《光电子．激光》更多>>
所获基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国防科技重点实验室基金国家重点基础研究发展计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
考虑变压变浆的三维精细裂隙网络灌浆数值模拟被引量：3
《水利水电技术（中英文）》2021年第11期108-119,共12页郭辉 吴斌平 王佳俊 殷亮 任炳昱 魏海宁 
国家重点研发计划(2018YFC0406704)。
针对目前常见的裂隙岩体灌浆数值模拟研究多采用固定灌浆压力和水灰比与现有的变压变浆施工工艺不符,且现有研究中裂隙网络建模精度较低,导致数值模拟与实际灌浆结果存在较大差异的问题,提出了考虑变压变浆的三维精细裂隙网络灌浆数值...
关键词：灌浆工程 数值模拟 岩体裂隙网络建模 变压变浆 多孔分序灌浆 
基于改进混合核极限学习机的坝基注浆量预测代理模型研究被引量：8
《水利水电技术（中英文）》2021年第9期57-66,共10页石祖智 常峻 吴斌平 佟大威 郭辉 乔天诚 
国家重点研发计划(2018YFC0406704);国家自然科学基金(51839007);天津市自然科学基金(19JCQNJC06800)。
注浆量是反映灌浆施工质量的重要指标之一。目前基于机器学习的注浆量预测方法缺乏对裂隙倾向、倾角等参数的全面考虑。裂隙灌浆模拟具有能够综合考虑地质、设计、施工等因素影响的优势,然而面临裂隙参数小样本、计算效率低下的不足。...
关键词：注浆量预测 代理模型 改进bootstrap方法 三维随机裂隙网络 离散元数值模拟 混合核极限学习机 改进的鸡群算法 
相邻金属孔间壁厚现场检测系统关键技术的研究被引量：2
《传感技术学报》2005年第1期120-122,共3页郭辉 刘书桂 郑义忠 
相邻金属孔间的壁厚测量以往都是根据镗床加工过程中的进刀量计算得出 ,精度较低。本文提出了一种应用电容传感器对两个金属孔间壁厚在线检测的系统。基于电容传感器 ,研究了电容测头的电场边缘效应的影响及保护环的宽度选择 ,设计了测...
关键词：容传感器 非接触检测 LAB VIEW 壁厚 
薄孔壁厚和小孔径测量系统被引量：7
《天津大学学报（自然科学与工程技术版）》2004年第10期914-917,共4页李斐 郭辉 孙长库 郑义忠 张以谟 
由于相邻孔壁厚度的测量根据进刀量进行计算时精度很低,故提出了一种应用电容传感器对2个微小孔间相邻孔壁进行精密测量的系统.基于非接触式电容测孔传感器,研究了测头的电场边缘效应影响及保护环的宽度选择,设计了电容瞄准测孔传感器...
关键词：电容传感器 非接触测量 孔径 孔壁 
小盲孔相邻孔壁加工过程现场检测系统
《电子产品世界》2004年第10A期131-132,共2页郭辉 刘书桂 郑义忠 
本文提出了一种应用电容传感器对两个微小盲孔间相邻孔壁加工过程中进行精密检测的系统。
关键词：盲孔 加工过程 精密检测 现场检测 孔壁 电容传感器 
SOI近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的研制被引量：1
《光电子．激光》2003年第12期1277-1280,共4页莫太山 张世林 郭维廉 郭辉 郑云光 
国家自然科学基金资助项目(69836020);国家重点基础研究973资助项目(2002CB311905)
给出了SOI近红外Si0.8Ge0.2/Si横向pin光电探测器的设计和制作过程。对制得的样管进行了典型光电参数的测试。测试结果表明,探测器的响应波长范围为0.4～1.3μm,峰值响应波长在0.93～0.97μm,峰值波长下响应度达0.38μA/μW,与Si光电探...
关键词：SOI 近红外 Si0.8Ge0.2/Si横向pin探测器 响应波长 响应峰值 光电性能 
横向SOI锗硅光电探测器的数值模拟被引量：2
《半导体光电》2003年第4期242-244,247,共4页莫太山 张世林 郭维廉 郭辉 郑云光 
国家自然科学基金资助项目(69836020).
　采用Atlas对SOI/CMOS兼容横向pin近红外锗硅光探测器进行了模拟分析。结果显示,外延应变SiGe层产生禁带变窄,形成了横向的二维空穴势阱沟道。在3V反向偏压下,电场沿横向均匀分布,光吸收层基本完全耗尽,光生载流子得到有效收集;与Si的...
关键词：SIGE 近红外光电探测器 器件模拟 
近红外Si_(0.8)Ge_(0.2)/Si横向pin探测器的模拟与测试被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第3期311-315,共5页莫太山 张世林 郭维廉 郭辉 郑云光 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6983 60 2 0 )
设计了一种新型叉指状近红外 Si0 .8Ge0 .2 / Si pin横向光电探测器。采用半导体器件模拟软件 Atlas分别对该器件平衡条件下物理特性及反向偏压下电场分布、光电特性进行了模拟 ;对实际制作的光电探测器进行了测试 ,结果表明 :其波长响...
关键词：光电集成电路 Si0.8Ge0.2/Si-pin 横向光电探测器 模拟 光电性能 近红外光 
共振隧穿二极管(RTD)I-V特性的几个问题被引量：8
《固体电子学研究与进展》2003年第3期329-333,共5页张世林 郭维廉 梁惠来 侯志娟 牛萍娟 赵振波 郭辉 
国防科技重点实验室基金资助项目 (NO.99JSO2 .4.2 JW14 0 3 )
对作者研制的 RTD进行了 I-V特性测量 ,并重点分析了 :(1 ) I-V特性的湿度效应 ;(2 )负阻区“表观正阻”现象 ;(3 )用负阻值估算开关时间。以上问题的分析对
关键词：共振隧穿二极管 RTD I-V特性 负阻伏安特性 开关时间 
光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型被引量：2
《电子学报》2003年第5期790-792,共3页张生才 郑云光 郭辉 李树荣 张世林 郭维廉 胡泽军 夏克军 
天津市自然科学基金资助项目 (No.98360 1 4 1 1 )
本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后 ,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路 ,描述了光电双基区晶体管 (PDUBAT)
关键词：光电双基区晶体管 反馈电流 瞬态电流 
全选清除导出
共2页<12>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部