朱培喻

作品数：2被引量：10H指数：2
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供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文主题：UHV/CVDSIGE合金RAMAN光谱分析半导体薄膜硅锗更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光谱学与光谱分析》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第7期929-932,共4页黎晨 朱培喻 罗广礼 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金 (批准号 :6983 60 2 0 );国家"九五"计划 (项目号 :97-760 -0 3 -0 1)
在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge...
关键词：RMOSFET CMOS 锗化硅 场效应晶体管 
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
《光谱学与光谱分析》2001年第4期464-467,共4页朱培喻 陈培毅 黎晨 罗广礼 贾宏勇 刘志农 钱佩信 
国家九五重点科技项目 (攻关 )计划课题 :97 760 0 3 0 1 ;国家自然科学基金重点项目 :698360 2 0
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法...
关键词：Raman SIGE合金 UHV/CVD 弛豫 应变 硅锗膜 拉曼光谱分析 半导体薄膜 
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