HFET

作品数：103被引量：100H指数：5
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：薛舫时陈堂胜张志国杨克武杨瑞霞更多>>
相关机构：南京电子器件研究所中国电子科技集团第十三研究所电子科技大学河北工业大学更多>>
相关期刊：《Optoelectronics Letters》《微电子学》《齐齐哈尔大学学报（自然科学版）》《半导体技术》更多>>
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一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET
《微电子学》2018年第6期815-819,共5页彭富 欧阳东法 杨超 魏杰 邓思宇 张波 罗小蓉 
国家自然科学基金资助项目(51677021;61234006)
针对传统AlGaN/GaN HFET击穿电压远低于理论值,以及阈值电压与开态电流之间存在制约关系的问题,提出一种对称极化掺杂增强型高压GaN HFET。采用Al组分对称渐变的AlGaN势垒层,因极化梯度分别在正向渐变AlGaN层和逆向渐变AlGaN层中诱导产...
关键词：极化掺杂 击穿电压 开态电流 增强型 
一种带有极化掺杂电流阻挡层的垂直AlGaN/GaN HFET被引量：1
《微电子学》2014年第5期692-695,700,共5页赵子奇 杜江锋 杨谟华 
针对传统垂直GaN基异质结场效应晶体管中,由于GaN电流阻挡层内p型杂质激活率低而导致的漏电问题,提出了一种使用AlGaN极化掺杂电流阻挡层的垂直GaN基异质结场效应晶体管结构。在AlGaN极化掺杂电流阻挡层中,通过Al组分渐变而产生的极化...
关键词：ALGAN/GAN VHFET 极化掺杂电流阻挡层 击穿电压 导通电阻 
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