HGCDTE材料

作品数:32被引量:39H指数:3
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长波光伏碲镉汞材料上的欧姆接触
《红外技术》2005年第3期260-262,共3页赵鸿燕 鲁正雄 赵岚 成彩晶 
碲镉汞器件性能与材料及诸多工艺因素相关,而材料与电极间的接触性能是必须要解决的基础问题之一。利用金属In/Au在光伏长波碲镉汞材料上做了接触性能研究,通过实验获得了较理想的欧姆接触,测试后计算出In与n型和p型HgCdTe材料间的接触...
关键词:碲镉汞材料 欧姆接触 光伏 长波 HGCDTE材料 接触电阻率 工艺因素 器件性能 基础问题 接触性能 性能研究 P型 In 
红外探测器材料和HgCdTe材料的发展现状被引量:6
《红外技术》1999年第5期1-5,共5页宋炳文 
简要介绍了主要的红外探测器材料,包括半导体光电探测器材料、热释电材料和热敏电阻材料。回顾了HgCdTe材料的发展历史和现状,液相外延、分子束外延和金属有机物汽相外延是目前生长HgCdTe薄膜的3种主要技术。作者认为,薄膜材料是今...
关键词:材料 碲镉汞 MOVPE 红外探测器 
长波红外n-HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系
《红外技术》1999年第3期19-20,41,共3页邵式平 肖绍泽 王跃 
少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系,电阻比值在2~6之间有较大的载流子寿命值,而电阻比值大于10的寿命...
关键词:载流子寿命 材料电阻 碲镉汞材料 红外探测器 
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