超辐射发光管

作品数：29被引量：39H指数：4
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阳极氧化法制备超辐射发光管实验研究
《兵工学报》2007年第7期822-825,共4页高欣 薄报学 张晶 李辉 曲轶 
国家自然科学基金资助项目(60474026;60477010)
采用阳极氧化方法和MBE生长技术进行了非均匀阱宽InGaAs/AlGaAs多量子阱超辐射发光管器件的设计和工艺制作,研究了三种条形结构器件的功率输出和光谱输出特性。在150mA的驱动电流条件下获得了10 mW以上的超辐射光输出,光谱宽度约为18 nm.
关键词：半导体技术 阳极氧化 非均匀阱宽 量子阱 脊形波导 超辐射发光管 
光纤陀螺用光源全温度工作交越失真研究被引量：3
《光子学报》2005年第12期1910-1913,共4页宫兆涛 舒晓武 牟旭东 刘承 
国家863计划重点资助项目
为提高光纤陀螺准确度、实现工程化应用,分析了SLD光源内部的热结构,建立了全数字光源控制系统.测试结果表明:在变温环境下(-15℃～55℃),抑制了光源的“交越失真”现象,实现了光源平均波长波动0.014%,光功率波动0.4%的控制准确度.采用...
关键词：光纤陀螺 白光光源 超辐射发光管 半导体制冷器 
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
《光学仪器》2004年第2期51-54,共4页常进 张军 王定理 刘应军 甘毅 李林松 黄晓东 刘涛 邬江帆 
国家"863计划"资助项目(2003AA311080)
在中心波长1310nm的InGaAsP半导体激光器端面设计并镀制了剩余反射率小于0.03%的三层减反射膜,得到了放大自发辐射波纹小于0.5dB的超辐射发光管。
关键词：宽带增透膜 超辐射发光管 极低剩余反射率 放大自发辐射 半导体激光器 三层减反射膜 
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算被引量：2
《光学学报》1999年第4期452-456,共5页赵永生 宋俊峰 韩伟华 李雪梅 杜国同 高鼎三 
国家自然科学基金
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数，在以往对超辐射发光管的特性分析，特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时，多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子，由于两者的光输出特性不同，这种沿用不仅会造成β因...
关键词：自发发射因子 超辐射发光管 增益 折射率 半导体 
GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源
《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第4期488-492,共5页赵永生 杜国同 韩伟华 付艳萍 李雪梅 宋俊峰 姜秀英 高鼎三 Gregory Devane Kathleen A.Stair R.P.H.Chang 
国家自然科学基金(批准号:69577008)
为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器...
关键词：超辐射发光管 锥形光放大器 单片集成 半导体 
一种新型半导体超辐射集成光源
《高技术通讯》1998年第1期5-7,共3页赵永生 杜国同 姜秀英 韩伟华 李雪梅 宋俊峰 高鼎三 
国家自然科学基金
为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这...
关键词：超辐射发光管 集成光源 半导体光电器件 
长波长1．3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备
《红外与激光技术》1995年第4期56-59,共4页鲍海飞 石家纬 刘明大 
本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。
关键词：超辐射 发光二极管 钼舟 半导体激光器 
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