超浅结

作品数：24被引量：13H指数：2
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：严利人周卫黄如李超波刘朋更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司中国科学院微电子研究所上海华力微电子有限公司清华大学更多>>
相关期刊：《质谱学报》《微电子学》《中国集成电路》《电子科技文摘》更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家教育部博士点基金天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=微电子学x
共 条 记 录，以下是1-2
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
100nm P型超浅结制作工艺研究被引量：1
《微电子学》2010年第1期145-148,共4页鲜文佳 刘玉奎 
介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。
关键词：超浅结 离子注入 快速热退火 沟道效应 瞬态增强扩散效应 
100nm超浅结制作工艺研究被引量：1
《微电子学》2007年第2期177-179,184,共4页王学毅 徐岚 唐绍根 
在对深亚微米技术的探索中,通过实践,得到了100 nm以下N型高掺杂浓度超浅结的工艺流程。介绍了采用低能量离子注入技术结合快速热退火技术制作超浅结的方法,并对需要考虑的沟道效应及瞬态增强扩散效应进行了机理分析。
关键词：超浅结 快速热退火 离子注入 沟道效应 瞬态增强扩散效应 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部