串联电阻

作品数：236被引量：515H指数：11
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变压器直流偏磁抑制设备的应用分析被引量：40
《电力自动化设备》2013年第9期151-156,共6页张露 阮羚 潘卓洪 鲁海亮 文习山 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2009CB724500)~~
对一随机生成的虚拟电网的直流偏磁抑制措施进行理论分析和数值求解,对中性点串联电阻/电容法、电流注入法的工作原理、实施方式、性能效果作分析。对比3种方法的实现方式和技术参数,证明了电阻法的阻值对目标变电站中性点直流电流和电...
关键词：直流输电 变压器 直流偏磁 电流注入法 中性点串联电阻 电容 
电致荧光成像表征串联电阻分布
《现代科学仪器》2013年第4期126-128,共3页叶舟 韩培德 邢宇鹏 梁鹏 范玉洁 胡少旭 
973项目(No.2012CB934204);国家自然基金(No.61275040;60976046;60837001;61021003)资助
本文介绍了一种利用电致荧光成像表征太阳能电池串联电阻分布的方法。太阳能电池的电致荧光强度Фi与外加电压U呈现指数关系,而U-n·(1+Rsi/Rpi)·UT·ln(Фi)和Фi呈现直线关系,其斜率与串联电阻值相关,我们通过拟合二者的直线关系和...
关键词：电致荧光 串联电阻 外加偏压 
变压器直流偏磁抑制方法的应用分析被引量：4
《陕西电力》2013年第6期31-34,共4页郝桂芹 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2009CB724500)
直流输电的入地电流可能导致交流电网内变压器的直流偏磁危害,因此采用合理有效抑制措施是保证交流电网安全运行的关键。对一随机生成的虚拟电网的直流偏磁抑制措施进行理论分析和数值求解,对中性点串联电阻/电容法的工作原理、实施方...
关键词：直流输电 变压器 直流偏磁 抑制措施 中性点串联电阻 电容 
衬底掺杂浓度对p-i-n结构电致发光的增强作用被引量：1
《南京邮电大学学报（自然科学版）》2011年第5期97-100,共4页陈德媛 冒昌银 刘宇 孙红程 
国家自然科学基金(10874070;60721063;50872051);国家重点基础研究发展计划(973计划)(2007CB613401);江苏省高校自然科学基金(09KJB510008;09KJB510010;09KJB510014);南京邮电大学引进人才启动基金(NY208056)资助项目
采用等离子体增强化学气相淀积系统,应用原位氧化和原位掺杂技术制备出了以非晶硅/二氧化硅多层膜结构为本征i层、分别以磷和硼掺杂的非晶硅作为n型和p型区的p-i-n结构。经过三步后退火处理,i层晶化得到纳米硅/二氧化硅多层膜结构,磷和...
关键词：电致发光 开启电压 注入势垒 串联电阻 
用变温法测量RTD串联电阻被引量：1
《半导体技术》2009年第1期83-87,共5页宋瑞良 毛陆虹 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 
国家973课题项目(2002CB311905)
用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面...
关键词：共振隧穿二极管 串联电阻 变温法 
大面积染料敏化太阳电池的实验研究被引量：7
《物理学报》2007年第6期3602-3606,共5页翁坚 肖尚锋 陈双宏 戴松元 
国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2006CB202600)资助的课题~~
通过对大面积染料敏化太阳电池的实验研究,探讨了串联电阻对大面积染料敏化太阳电池光伏特性的影响问题,给出了解决这一问题的有效方法.在此基础上制作的大面积条状电池(0.8cm×18cm)光电转换效率达到6.89%,而由此条状电池并联组成的大...
关键词：大面积 染料敏化 太阳电池 串联电阻 
GaN基LED电流扩展的有限元模型及电极结构优化被引量：8
《发光学报》2007年第1期114-120,共7页潘华璞 黄利伟 李睿 林亮 陈志忠 张国义 胡晓东 
国家自然科学基金(60477011;60476028;60406007;60577030);国家"973"计划(2007CB307004);北京大学校长基金资助项目
针对目前蓝宝石衬底上外延生长制备的GaN基半导体发光二极管(LED)器件存在电流分布不均匀的问题,建立了LED的电流扩展模型,提出了定量评价其特性的参数和标准。通过用有限元方法计算LED中电流的三维空间分布,对不同的电极结构进行了定...
关键词：GAN基LED 电流扩展 串联电阻 有限元方法 电极结构 
氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析被引量：4
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1459-1463,共5页佟存柱 韩勤 彭红玲 牛智川 吴荣汉 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA312080);国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036603);国家自然科学基金(批准号:60137020)资助项目~~
含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻...
关键词：垂直腔面发射激光器 氧化孔 串联电阻 阈值电流 
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