垂直腔面发射半导体激光器

作品数：45被引量：143H指数：8
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相关领域：电子电信更多>>
相关作者：王立军宁永强秦莉张星刘云更多>>
相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院北京工业大学更多>>
相关期刊：《光学精密工程》《兵工学报》《半导体光电》《量子电子学报》更多>>
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垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性被引量：14
《Journal of Semiconductors》1999年第11期963-970,共8页赵一广 张宇生 黄显玲 
国家自然科学基金
本文采用求光场方程、载流子扩散方程、热导方程以及泊松方程自洽解的方法，研究了垂直腔面发射半导体激光器的电、热和光波导特性．计算结果表明，出射窗口半径和限制区的深度、厚度以及半径是影响其注入电流和电压分布的主要因素．在...
关键词：半导体激光器 电特性 热特性 光波导特性 VCSELS 
梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制
《Journal of Semiconductors》1998年第1期29-37,共9页张宇生 赵一广 陈娓兮 
国家自然科学基金
本文采用求解光场方程，载流子扩散方程和模式耦合方程自洽解的方法研究了具有梯形截面掩埋结构垂直腔面发射半导体激光器的横模控制．计算了掩埋限制区的倾角以及激光器有源区半径等对基模和一阶模的辐射损耗的影响．结果表明，在这种...
关键词：半导体激光器 VCSELS 腔面发射 
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第12期951-954,共4页刘颖 杜国同 姜秀英 刘素平 张晓波 赵永生 高鼎三 林世鸣 康学军 高洪海 高俊华 王红杰 
"863"高技术基金
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的...
关键词：半导体激光器 砷化镓 GAALAS 激光器 
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