磁性半导体

作品数：105被引量：76H指数：3
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低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜被引量：2
《功能材料》2004年第4期429-431,共3页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
　利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe Si合金薄膜。利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性。测试结果表明在室温下制备的Fe Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,...
关键词：低能离子束 硅 铁磁性 磁性半导体 
室温铁磁性GaN:Cr薄膜的性质研究
《功能材料》2004年第z1期1212-1214,1218,共4页刘志凯 宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划项目资助(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原...
关键词：氮化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究被引量：2
《功能材料》2004年第z1期1308-1310,共3页宋书林 陈诺夫 尹志岗 柴春林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金资助项目(60176001);国家重大基础研究计划资助项目(G20000365和G2002CB311905)
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力...
关键词：半绝缘性砷化镓 磁性半导体 铁磁性转变温度 
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