刘劲松

作品数：4被引量：4H指数：2
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供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文主题：铁电PZT极化反转温度电场更多>>
发文领域：一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>
发文期刊：《功能材料》《压电与声光》更多>>
所获基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
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MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性被引量：2
《压电与声光》2008年第2期180-182,共3页蔡道林 李平 张树人 翟亚红 阮爱武 刘劲松 欧阳帆 陈彦宇 
国家"九七三"计划基金资助项目(51310z)
在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZ...
关键词：磁控溅射 MFMIS 铁电场效应晶体管 存储窗口 
应用于FRAM的集成铁电电容的研究
《压电与声光》2008年第1期42-44,共3页蔡道林 李平 张树人 翟亚红 阮爱武 刘劲松 陈彦宇 欧阳帆 
国家重点基础研究发展计划("九七三"计划)基金资助项目(51310z)
集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表...
关键词：铁电电容 Pb(Zr Ti)O3(PZT)薄膜 铁电存储器 
PZT/LaNiO_3/LaAlO_3结构制备及性能研究被引量：2
《压电与声光》2007年第4期442-444,共3页张洪伟 张树人 黄文 刘劲松 杨成韬 杜善义 
国家基础研究资助项目(51310Z)
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了PZT铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(100)取向、晶化完全的PZ...
关键词：LANIO3 PZT 激光脉冲沉积 射频磁控溅射 退火 
铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究
《功能材料》2004年第z1期1515-1517,共3页田召明 张树人 刘劲松 陈富贵 杨成韬 
国家973项目资助
应用铁电薄膜极化反转的KA模型,讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降;在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减小,温度...
关键词：极化反转 KA模型 潜在核 
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