孟扬

作品数：7被引量：53H指数：5
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发文主题：透明导电薄膜电导率透射率TCO透明导电氧化物薄膜更多>>
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透明导电氧化物薄膜的新进展被引量：17
《光电子技术》2002年第3期125-130,144,共7页孟扬 沈杰 蒋益明 陈佾 孔令柱 沃松涛 杨锡良 陈华仙 章壮健 
透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO。2:F都已经发展成熟,分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年,TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期,研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2O3:Sn薄膜...
关键词：TCO 透明导电氧化物 薄膜 进展 
透明导电IMO薄膜的载流子迁移率研究被引量：6
《真空科学与技术》2002年第4期265-269,共5页孟扬 章壮健 华中一 
采用van der Pauw法、等离子振荡波长法和光谱拟合法等三种方法对IMO(In2 O3 ∶Mo)薄膜和ITO(In2 O3 ∶Sn)薄膜的载流子迁移率进行了测量和比较。结果表明 ,IMO薄膜的载流子迁移率高达 10 0cm2 V-1s-1以上 ,远超过已报导的其他掺杂透明...
关键词：载流子 迁移率 掺钼氧化铟 复合效应 透明导电IMO薄膜 
透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量
《光电子技术》2001年第4期245-250,共6页孟扬 沈杰 蒋益明 刘键 林剑 杨锡良 陈华仙 章壮健 
用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO...
关键词：透明导电薄膜 掺钼氧化铟 载流子浓度 
臭氧在热反应蒸发法低温制备透明导电薄膜IMO中的作用被引量：2
《真空科学与技术》2001年第4期259-262,268,共5页孟扬 杨锡良 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 华中一 
虽然采用常规的热反应蒸发法就可以在约 35 0℃的玻璃基底上制备出性能优良的In2 O3∶Mo(IMO)薄膜 ,但是随着基底温度的降低 ,IMO薄膜的电导率和可见光透射比都迅速减小。通过高频放电在反应气体中加入O3 后 ,可以在室温下将In充分氧化...
关键词：透明导电薄膜 掺钼氧化铟 热反应蒸发 臭氧 制备 玻璃基底 电阻率 透射比 
复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响被引量：7
《光电子技术》2001年第2期89-101,共13页孟扬 林剑 刘键 沈杰 蒋益明 杨锡良 章壮健 
首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电 (TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的 TCO薄膜 ,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电...
关键词：透明导电薄膜 掺杂氧化物 复合效应 
高价态差掺杂氧化物透明导电薄膜的研究被引量：22
《光电子技术》2001年第1期17-24,共8页孟扬 杨锡良 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 
在实用的透明导电氧化物 (TCO)薄膜中 ,载流子迁移率主要是受电子与掺杂离子之间散射的限制。如果掺杂离子与氧化物中被替代离子的化合价相差较大 ,每个掺杂离子可以提供较多的自由载流子 ,则使用较少的掺杂量就可以获得足够多的自由载...
关键词：透明导电薄膜 掺杂氧化物 掺钼氧化铟 
新型透明导电薄膜In_2O_3∶Mo被引量：9
《真空科学与技术》2000年第5期331-335,共5页孟扬 杨锡良 陈华仙 沈杰 蒋益明 章壮健 华中一 
MoO3的饱和蒸气压较高 ,可以直接用热反应蒸发法制备In2 O3∶Mo(IMO)透明导电薄膜。XPS和XRD测试结果证明 ,IMO薄膜中的Mo是以Mo6+ 离子形式取代了In2 O3 晶格中的In3+ 离子而存在的 ,没有形成新的化合物 ,也没有改变In2 O3 的体心立方...
关键词：透明导电薄膜 掺钼氧化铟 反应蒸发 电导率 
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