刘键

作品数：4被引量：9H指数：1
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供职机构：复旦大学更多>>
发文主题：透明导电薄膜晶粒生长载流子浓度超大规模集成电路表面能更多>>
发文领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《光电子技术》《固体电子学研究与进展》更多>>
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IC工艺中互连薄膜晶粒生长的实验和理论模型被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第4期526-531,共6页刘键 黄榕旭 蒋聚小 郑国祥 
通过研究不同淀积温度下铝互连薄膜的晶粒形态 ,研究晶粒的生长规律。建立理论模型描述加热过程中薄膜晶粒的行为 ,可据此进行工艺模拟 ,对 IC制造工艺进行事前评估。根据薄膜晶粒生长的机理 ,得到晶粒尺寸和温度及时间的关系。由于薄...
关键词：超大规模集成电路 IC工艺 互连薄膜 晶粒生长 理论模型 表面能 对数正态分布 
用于IC氧化层和氧化炉管在线监控的表面光电压技术被引量：1
《固体电子学研究与进展》2003年第1期120-125,共6页李清华 刘键 罗俊一 李晴 郑国祥 
表面光电压法 (SPV)是一种高灵敏度的、非破坏性的在线监控技术。能精确测量硅片的少子扩散长度、少子寿命、重金属沾污浓度等参数。对 IC生产的质量保证是非常重要的检测手段。文中介绍了用于监控 IC生产栅氧化层和氧化炉管系统的 SPV...
关键词：表面光电压 金属沾污 在线监控 SPV 集成电路 氧化层 氧化炉管 
透明导电IMO薄膜的载流子浓度测量
《光电子技术》2001年第4期245-250,共6页孟扬 沈杰 蒋益明 刘键 林剑 杨锡良 陈华仙 章壮健 
用反应蒸发法制备的掺钼氧化铟 ( In2 O3:Mo,IMO)薄膜在可见光区域的平均透射率 (含 1 .2 mm厚玻璃基底 )超过 80 % ,电阻率最低达 1 .7× 1 0 - 4Ω·cm。采用等离子振荡波长法、van-der-Pauw法和光谱拟合法等三种方法对IMO薄膜和 ITO...
关键词：透明导电薄膜 掺钼氧化铟 载流子浓度 
复合效应对掺杂氧化物透明导电薄膜的影响被引量：7
《光电子技术》2001年第2期89-101,共13页孟扬 林剑 刘键 沈杰 蒋益明 杨锡良 章壮健 
首次引入复合效应对不同价态差的掺杂氧化物透明导电 (TCO)薄膜的载流子浓度及其迁移率进行了分析。对于较高温度下制备的 TCO薄膜 ,对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。带电离子散射迁移率与带电...
关键词：透明导电薄膜 掺杂氧化物 复合效应 
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