李莹

作品数：2被引量：4H指数：1
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供职机构：东北微电子研究所更多>>
发文主题：大规模集成电路半导体加工选择比反应离子刻蚀高选择性更多>>
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高选择性的SiO_2/Si干法腐蚀工艺被引量：4
《微处理机》2003年第1期5-7,共3页高东岳 李莹 郭常厚 栾兰 
高选择性的二氧化硅对单晶硅及多晶硅的干法腐蚀工艺在半导体加工领域占有重要地位。本文通过大量实验研究出了一种以 CHF3和 SF6 作为主要进给气体 ,通过调节 CHF3和 SF6 的流量来相应地控制等离子体中有效的 F∶ C比率从而实现较高的...
关键词：高选择性 干法腐蚀工艺 大规模集成电路 设计 制造 等离子体 反应离子刻蚀 选择比 二氧化硅 硅 单晶硅 半导体加工 
硅基薄膜MCM工艺
《微处理机》2002年第3期15-16,共2页李莹 高东岳 李建宏 
薄膜 MCM工艺是一种新兴的芯片安装工艺 ,它具有提高系统速度、降低系统体积及成本等优点。本文着重叙述了硅基薄膜 MCM工艺的工艺流程、工艺要点及工艺中通常应该注意的一些问题。
关键词：硅基薄膜MCM 工艺 超大规模集成电路 硅芯片 
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