张远祥

作品数：2被引量：7H指数：1
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供职机构：河北工业大学更多>>
发文主题：臭氧表面活性剂硅片硅衬底微电子工艺更多>>
发文领域：电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《清洗世界》《微纳电子技术》更多>>
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微电子工艺中硅衬底的清洗技术被引量：6
《清洗世界》2006年第2期29-33,共5页张远祥 刘玉岭 袁育杰 
天津市重点自然科学基金(043801211)
通过研究硅片表面颗粒的吸附原理,提出了优先吸附模型,并提出改进SC-1的配方,不仅能去除颗粒,而且能有效去除有机物。介绍一些操作方法更加简单、去除更加彻底以及更加环保的清洗新技术。通过分析微电子技术的发展要求,指出今后硅片清...
关键词：硅片 表面活性剂 微粗糙度 腐蚀 臭氧 
铝薄膜CMP影响因素分析被引量：1
《微纳电子技术》2006年第2期107-111,共5页袁育杰 刘玉岭 张远祥 程东升 
天津市重点自然科学基金(043801211)
提出了在碱性抛光液中铝薄膜化学机械抛光的机理模型,对抛光液的pH值、磨料、氧化剂浓度对过程参数的影响做了一些试验分析。试验结果表面粗糙度的铝薄膜所需的最优化CMP过程参数:硅溶胶粒径为15～20nm,pH值为10.8～11.2,氧化剂浓度为2...
关键词：化学机械抛光 铝薄膜 全局平面化 
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