赵刚

作品数：4被引量：5H指数：2
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供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文主题：闭锁HEMP单片机系统性能比较单片机更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术航空宇航科学技术更多>>
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近地面1553B通信系统HEMP效应试验被引量：2
《信息与电子工程》2010年第3期318-323,共6页邓建红 周启明 赵刚 李小伟 周开明 王艳 
为了考察地面设备抗高空电磁脉冲(HEMP)性能,确定关键耦合节点,寻求有效的加固方法,进行了带1553B通信电缆的某地面监控系统的功能演示设备HEMP效应试验。通过分析电磁脉冲主要耦合通道,针对耦合通道设计实验方案,测试了1553B通信线缆...
关键词：1553B通信线缆 HEMP耦合 模拟试验 加固方法 
80C196单片机系统X射线剂量增强效应研究被引量：1
《微电子学》2009年第4期555-558,共4页褚忠强 徐曦 牟维兵 詹峻岭 赵刚 
研究了主要由N80C196KC20、PSD501B1和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路进行了X射线和γ射线的总剂量对比辐照实验,测量了系统工作电流,同时监测196芯片和PSD芯片输出波形的变化...
关键词：单片机系统 单元电路 总剂量辐照 剂量增强效应 
伪闭锁路径法的应用
《微电子学》2006年第1期43-45,48,共4页许献国 徐曦 胡健栋 赵刚 
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光I”瞬...
关键词：体硅 CMOS器件 闭锁 伪闭锁路径法 单片机 
用于抗闭锁的辐射敏感开关被引量：2
《微电子学》2005年第6期581-583,共3页许献国 胡健栋 赵刚 徐曦 
介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关。设计的辐射敏感开关在“闪光I”瞬时辐射模拟源上进行了实验考核。实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的。
关键词：抗闭锁 辐射敏感开关 集成电路 
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