陈怀林

作品数：7被引量：30H指数：3
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供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
发文主题：GAAS光电阴极光谱响应GAAS掺杂光电阴极更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《光学学报》《材料导报》《应用光学》《真空电子技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
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透射式变掺杂GaAs光电阴极研究
《应用光学》2013年第2期230-234,共5页陈怀林 常本康 牛军 张俊举 
国家自然科学基金资助课题(60801036)
为了将变掺杂GaAs材料应用于微光像增强器,开展了透射式变掺杂GaAs光电阴极实验研究,制备了2种反转结构透射式变掺杂GaAs光电阴极。测试了玻璃粘接前后GaAs光电阴极载流子浓度变化,发现高温粘接后载流子浓度增加现象。通过测试高温激活...
关键词：GAAS光电阴极 变掺杂 光谱响应 透射式 
真空度对MBE GaAs光阴极激活结果的影响被引量：2
《功能材料》2009年第12期1951-1954,共4页陈怀林 牛军 常本康 
国家自然科学基金资助项目(60678043)
采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs光阴极材料,按照常规方法进行高-低温两步激活时,总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象。研究中,当激活时的系统真空度从1×10-7Pa提升到1×10-8Pa时,发现结果能够重新出现低温灵敏度比高温灵敏度高...
关键词：GAAS MBE 真空度 激活 
变掺杂GaAs光电阴极的研究进展被引量：2
《材料导报》2009年第19期99-103,113,共6页陈怀林 牛军 常本康 
国家自然科学基金(60678043);教育部高等学校博士点基金资助项目(20050288010)
从变掺杂阴极的结构种类、变掺杂GaAs光电阴极的光电发射机理、制备技术以及变掺杂结构对阴极性能的影响等方面介绍了当前国内研究变掺杂GaAs光电阴极的进展。目前该工作还处于起步阶段,理论研究还有待于进一步深入。开展变掺杂阴极研...
关键词：GAAS 光电阴极 变掺杂 
高温激活的变掺杂GaAs光电阴极研究被引量：1
《红外与激光工程》2008年第S2期756-761,共6页陈怀林 常本康 张俊举 杜晓晴 
国家自然科学基金资助项目(60678043)
为了获得高量子效率的GaAs光电阴极,要求GaAs材料的电子扩散长度足够长,且电子表面逸出几率大,而这两个参数都要受到P型掺杂浓度的限制。经过对由体内到表面掺杂浓度由高到低的变掺杂GaAs光电阴极进行比较深入的激活实验和光谱响应理论...
关键词：GAAS 光电阴极 光谱响应 性能评估 在线测量 
铯氧比对砷化镓光电阴极激活结果的影响被引量：9
《光子学报》2006年第10期1493-1496,共4页邹继军 常本康 杜晓晴 陈怀林 王惠 高频 
教育部博士点基金(20050288010)资助
实验和理论分析结果表明,激活成功的砷化镓光电阴极的铯氧比存在一个最佳值.砷化镓光电阴极铯氧比的控制可通过调节激活过程中铯源和氧源的加热电流大小来实现.激活实验结果表明,铯氧电流比适中的样品,首次进氧时,光电流上升速度最快,...
关键词：砷化镓光电阴极 铯氧比 量子效率 激活 
GaAs光电阴极表面电子逸出概率与波长关系的研究被引量：11
《光学学报》2006年第9期1400-1403,共4页邹继军 陈怀林 常本康 王世允 
教育部高等学校博士点基金(20050288010);国防科技重点预研(404050501D)资助课题
GaAs光电阴极量子效率公式中用到的表面电子逸出概率,在阴极工作波段范围内通常视为与入射光子波长无关的常数。应用该结论对反射式GaAs光电阴极激活实验结果进行了拟合分析。实验采用分子束外延GaAs材料,外延发射层厚度为1.6μm、掺杂...
关键词：光电子学 指数函数 光谱响应 电子逸出概率 GAAS光电阴极 表面势垒因子 
微光像增强器亮度增益和等效背景照度测试技术被引量：8
《真空电子技术》2004年第2期34-37,共4页钱芸生 常本康 邱亚峰 唐绩 张俊举 陈怀林 
研制了一台微光像增强器亮度增益和等效背景照度测试仪,对测试仪的总体结构、光学系统、机械结构、信号处理模块和计算机软硬件等部分进行了设计,采用测试入射像增强器阴极面光通量和荧光屏输出光通量之比的方法实现了像增强器的亮度增...
关键词：微光像增强器 亮度增益 等效背景照度 测试 
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