朱梓英

作品数：10被引量：11H指数：2
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供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院物理系更多>>
发文主题：正电子湮没正电子ZNO压敏陶瓷压敏陶瓷氢更多>>
发文领域：一般工业技术化学工程金属学及工艺电气工程更多>>
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不同方式变形时高纯铁的正电子寿命研究被引量：3
《核技术》1998年第3期135-137,共3页吴奕初 朱梓英 伊东芳子 伊藤泰男 
采用正电子寿命研究了压缩、冷轧和拉伸变形时高纯铁的正电子寿命随形变量的变化规律（曲线）。实验结果表明：若单考虑某一种方式的形变过程。其结果与前人的结果一致。实验中还发现压缩变形时的曲线明显高于拉伸时的曲线，而冷轧时的...
关键词：正电子湮没 铁 形变 高纯铁 
热释光材料LiF:Mg,Ti、LiF:Mg,Cu,P和MgSO_4的正电子湮没特性被引量：3
《核技术》1998年第2期89-93,共5页邓邹平 罗达玲 朱梓英 张纯样 李景德 
国家自然科学基金
测量了经６０ＣｏＹ辐照的热释光材料ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｔｉ．ＬｉＦ：Ｍｇ，Ｃｕ，Ｐ和ＭｇＳＯ４的正电子湮没寿命谱，所有寿命谱都分解成三个成分。两种不同掺杂的ＬｉＦ样品，其成分寿命参数十分接近，表明正离子空位对寿命谱影响较小...
关键词：热释光材料 准正电子素 正电子湮没 
高温超导体中的一个正电子陷阱湮没模型(英文)
《中山大学学报（自然科学版）》1998年第1期59-63,共5页吴奕初 朱梓英 
广东省自然科学基金
从简单的正电子物理图像出发，引入正电子在陷阱中湮没竞争机制，提出了一个新的陷阱湮没模型，并采用这个模型分析了多陷阱的高温超导材料中的正电子湮没特征，此模型可用于探索非平衡缺陷问题的普遍情况．
关键词：正电子湮没 高温超导材料 陷阱湮没模型 
ZnO压敏陶瓷热处理实验的研究
《中山大学学报（自然科学版）》1997年第4期37-42,共6页朱梓英 吴奕初 林国淙 陈志雄 傅刚 
ＺｎＯ压敏陶瓷在工作电压长期作用下，会产生电流蠕变现象，使Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒不稳定．用正电子湮没技术（ＰＡＴ）证实：ＺｎＯ在适当温度下的氧化热处理。
关键词：正 电子 压敏陶瓷 热处理 氧化锌陶瓷 稳定性 
硫酸三甘肽的正电子寿命谱研究
《中山大学学报（自然科学版）》1997年第3期54-56,共3页朱梓英 符德胜 李景德 
配合时域介电谱方法用正电子湮没技术对硫酸三甘肽（ＴＧＳ）的铁电相变过程进行了测量，发现正电子寿命谱有两个较强的成份和一个很弱的成份，后者相应于正电子偶素，各分量在相变点附近很窄的温区出现奇异性质。
关键词：铁电相变 时域介电谱 硫酸三甘肽 正电子寿命谱 
ZnO压敏陶瓷热处理的正电子湮没寿命谱研究被引量：1
《功能材料》1997年第3期300-302,共3页林国淙 陈志雄 朱梓英 吴奕初 
国家自然科学基金
在常温下测量了ＺｎＯ压敏陶瓷经不同方法热处理后的正电子湮没寿命谱，结果表明，与无热处理比较，７５０℃×２ｈ的氧化热处理基本不改变缺陷强度Ｉ２；随后进行的７５０℃×２ｈ还原热处理则使Ｉ２明显降低。氧化热处理和还原热处理...
关键词：压敏陶瓷 氧化锌 热处理 正电子湮没 陶瓷 
镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究被引量：4
《物理学报》1997年第2期406-410,共5页吴奕初 朱梓英 伊东芳子 伊藤泰男 
采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用．结果表明：冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽Ｓ参数上升，并且寿命谱的两成分拟合出现一个３９０ｐｓ的长寿命分量；而退火及回复镍充氢后正电子平...
关键词：正电子寿命 多普勒展宽 晶体缺陷 镍 金属 氢脆 
CuZnAl合金热循环效应的正电子湮没研究被引量：1
《中山大学学报（自然科学版）》1995年第1期102-105,共4页林光明 朱梓英 
ＣｕＺｎＡｌ形状记忆材料（或记忆合金元件）随着热循环反复相变周数增加，相变温度往低温漂移，相变速率与相变热滞减小而记忆性能无大的变化，正电子寿命谱测量表明这些现象主要与空位聚集形成空位团有密切关系。
关键词：热循环 正电子湮没 形状记忆合金 铜锌铝合金 
Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3系陶瓷中的B空位研究
《中山大学学报（自然科学版）》1993年第2期30-36,共7页朱梓英 陈仁术 庄严 
以正电子湮没技术(PAT)研究Ba(Sn_(1-x)Sbx)O_3系陶瓷中的晶格空位,发现空位浓度在Sb 固溶限以下与x 值呈线性关系.由超高压高温合成法证明Ba(Sn_(1-x)Sb_x)O_3的晶胞参数α_0因Sb 挥发形成V_B 而增大.PAT 测得较小的τd 值,证明占B 位...
关键词：陶瓷 晶格空位 B空位 
ZnO压敏陶瓷晶粒间界效应
《中山大学学报（自然科学版）》1991年第2期160-162,共3页朱梓英 雷德铭 李景德 
利用正电子湮灭技术研究了氧化锌的非线性电阻效应。由短寿命τ_1及其成份I_1随电流i变化曲线同压降曲线的相似性证明该成份属于传导电子和正电子的湮灭。实验结果支持Schot-tky势垒模型对晶粒间界提供的压敏效应的解释。
关键词：ZNO 压敏陶瓷 晶粒间界 导电机构 
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