辛超

作品数：4被引量：8H指数：2
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供职机构：南昌大学更多>>
发文主题：位错高温退火多晶硅片硅片多晶硅更多>>
发文领域：电气工程电子电信金属学及工艺更多>>
发文期刊：《材料科学与工程学报》《半导体技术》《太阳能学报》更多>>
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抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响被引量：2
《太阳能学报》2013年第2期213-217,共5页周剑 辛超 魏秀琴 周潘兵 周浪 张运锋 张美霞 
对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度。当硅片抛光腐蚀深度小于45μm时,抛光效果不佳,而大于此...
关键词：抛光 多晶硅片 位错 抛光腐蚀深度 
冶金级硅料在高温处理中的金属杂质表面偏聚被引量：1
《材料科学与工程学报》2012年第2期280-282,275,共4页辛超 龚洪勇 尹传强 周浪 
实验研究了经酸洗除杂的冶金级硅粉在空气中进行高温处理以再次造成表面杂质偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂的方法。结果表明这种方法因其硅粉表面形成的硅氧化物进一步提高了金属杂质表面扩散偏聚的能力,比保护气氛条件下的高温处理...
关键词：冶金级硅 表面偏聚 高温处理 酸洗 
晶体Si片切割表面损伤及其对电学性能的影响被引量：1
《半导体技术》2011年第8期614-618,共5页蔡二辉 汤斌兵 周剑 辛超 周浪 
对比观察了不同工艺条件下金刚石线锯和砂浆线锯切割晶体Si片的表面微观形貌;分析了其切割机理及去除模式;对比分析了三种不同化学方法钝化Si片的效果和稳定性;采用逐层腐蚀去除Si片的损伤层,使用碘酒对其进行化学钝化,然后测试其少子寿...
关键词：硅片 切割 表面损伤 少子寿命 钝化 
高温退火对铸造多晶硅片中位错密度的影响被引量：4
《半导体技术》2011年第5期378-381,共4页辛超 周剑 周潘兵 魏秀琴 周浪 张运锋 张美霞 
对铸造多晶硅片进行了1 000~1 400℃的高温退火和不同方式冷却实验,用显微观察法对退火硅片及其相邻姊妹片位错密度进行了测量统计。研究了退火温度和冷却方式对铸造多晶硅片中位错密度的影响。结果证实：当退火温度在1 100℃及以下时,...
关键词：多晶硅 硅片 位错 退火 冷却 
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