王永强

作品数：4被引量：5H指数：1
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发文主题：CMOS器件DPF辐照效应能谱测量辐照损伤更多>>
发文领域：电子电信核科学技术更多>>
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Burn-in对CMOS器件电离辐射效应的影响
《微电子学》2001年第2期135-137,共3页彭宏论 王永强 姚育娟 张正选 
MOS管或 IC在辐照以前 ,使其在较长时间内 (约 2 0 0 h)处于一定的高温 (1 2 0°C)下并加偏压。这一作用会改变器件对电离辐射的响应。器件会产生更大的 N管阈值电压漂移 ,IC会产生更大的漏电流 (一个量级以上 ) ,减小器件的时间参数退...
关键词：Burn-in效应 CMOS器件 电离辐射效应 集成电路 
MOS器件中的边界陷阱
《微电子学与计算机》2000年第4期37-41,共5页王永强 何宝平 张正选 
文章主要介绍了ＭＯＳ器件中边界陷阱的特点、性能、形成机理及对器件性能的影响。给出了二种边界陷阱的理论模型，阐述了它的微观结构，研究发现快、慢二种边界陷阱有着不同的缺陷结构，同时还讨论了Ｃ－Ｖ测试技术和ＤＴＢＴ测试技术...
关键词：边界陷阱 缺陷结构 DTBT MOS器件 
星用CMOS器件辐照损伤和退火效应研究被引量：1
《微电子学与计算机》2000年第2期36-38,共3页何宝平 张正选 姜景和 王永强 
文章研究了CMOS器件 (LC54HC0 4RH) 6 0 CoΥ射线的总剂量辐照实验以及辐照后在 1 0 0℃温度场下的退火效应。实验发现 ,辐照后 ,器件在加温和加偏条件下 ,可以加速n沟器件界面态的增长和氧化物陷阱电荷的退火 ,而加温浮空偏置条件下有...
关键词：辐射效应 剂量率 退火效应 CMOS器件 
DPF脉冲X射线能谱测量被引量：4
《核技术》2000年第1期22-26,共5页郭红霞 龚建成 何宝平 林东生 王文生 彭宏论 常冬梅 杨海帆 王永强 罗尹虹 
采用滤光法对ＤＰＦ脉冲Ｘ射线源装置的Ｘ射线能谱进行了测量，取得了较好的结果，为辐射效应环境测量提供了一种手段。
关键词：DPF 滤光法 X射线能谱 热释光剂量片 辐照效应 
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