王宗昌

作品数：4被引量：5H指数：1
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供职机构：吉林大学电子科学与工程学院更多>>
发文主题：FESNOC-V特性传感器半导体材料更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
发文期刊：《Journal of Semiconductors》《功能材料》《稀有金属》更多>>
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熔凝玻璃薄膜的形成及其C-V特性
《稀有金属》2001年第3期187-190,共4页戴国瑞 孙颖 童茂松 王宗昌 张英兰 
报道了在成功地研制彩色电视机用的高反压大功率晶体管钝化玻璃粉的基础上 ,摸索了采用电泳涂覆技术以形成一定厚度的高质量熔凝玻璃薄膜的方法 ,用差热分析 (DTA)技术确定了玻璃粉的软化温度、烧结温度分别为 5 90和 6 80℃。用X射线衍...
关键词：玻璃薄膜 电泳涂覆 结构分析 C-V特性 
聚苯胺薄膜的制备及其C—V特性研究被引量：1
《功能材料》1999年第5期543-544,556,共3页戴国瑞 王晓薇 马哲 南金 王宗昌 
报导了采用PECVD技术制备聚苯胺薄膜及沉积条件对薄膜沉积速率的影响，红外吸收光谱和电容－电压法表征了薄膜的组成及介电特性。
关键词：PECVD 聚苯胺 薄膜 C-V特性 制备 
Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1998年第10期745-751,共7页戴国瑞 何秀丽 王宗昌 南金 
国家自然科学基金
本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．
关键词：半导体 敏感器件 传感器 氨气 敏感薄膜 
SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜界面过渡层的性质及其形成机制研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1993年第6期361-367,共7页马晓翠 闫大卫 吴军 王宗昌 邹慧珠 
国家自然科学基金
用等离子体化学气相淀积法制备SnO_2/Fe_2O_3多层膜的界面处存在着一个厚度约为数百埃的O-Sn-Fe过渡层,而通常化学气相沉积法所制备的SnO_2/Fe_2O_3多层薄膜不存在与其相似的过渡层。不同SnO_2含量的烧结型SnO_2-Fe_2O_3复合材料的电导...
关键词：半导体材料 薄膜 界面过渡层 性质 
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