陈文兰

作品数：3被引量：2H指数：1
导出分析报告
供职机构：苏州工业园区教育发展投资有限公司更多>>
发文主题：混沌电路单片微波全集成场极板LDMOS更多>>
发文领域：电子电信电气工程更多>>
发文期刊：《微电子学与计算机》《科技创新与应用》《国外电子测量技术》更多>>
所获基金：江苏省科技支撑计划项目更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
共 条 记 录，以下是1-3
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
一种新型全集成的单片微波混沌电路的研究
《科技创新与应用》2012年第06Z期5-6,共2页卞新海 陈文兰 王京 王寅生 高怀 
江苏省科技支撑计划工业部分重点项目(BE2010129)
本文基于AWSC公司2μm InGaP/GaAsHBT晶体管工艺,提出新型全集成的单片微波混沌电路结构。电路采用电流镜做为电路射极的恒流源,解决了现有技术利用大电感(1000nH以上)做为恒流源而导致电路无法全集成及电感自身震荡影响电路稳定性的问...
关键词：混沌 Colpitts电路 砷化镓 基本频率 
阶梯浅沟槽隔离结构LDMOS耐压机理的研究被引量：1
《微电子学与计算机》2011年第2期56-60,共5页陈文兰 孙晓红 胡善文 陈强 高怀 
提出了一种具有阶梯浅沟槽隔离结构的LDMOS.阶梯浅沟槽结构增加了漂移区的有效长度,改善了表面电场及电流的分布,从而提高了器件的击穿电压.借助器件模拟软件Silvaco对沟槽深度、栅长及掺杂浓度等工艺参数进行了优化设计.结果表明,在保...
关键词：LDMOS 漂移区 浅沟槽隔离 击穿电压 
分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计被引量：1
《国外电子测量技术》2010年第11期38-41,共4页陈文兰 
为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容,提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件,给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明,所设计的分布式源场极板结构在不影...
关键词：射频LDMOS 场极板 寄生电容 射频性能 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部