场极板

作品数：14被引量：12H指数：2
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相关作者：孙伟锋易扬波陈军宁时龙兴陆生礼更多>>
相关机构：东南大学安徽大学中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《半导体技术》《电子器件》《固体电子学研究与进展》《电子与封装》更多>>
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金属泡沫流场极板组研究进展与展望
《济源职业技术学院学报》2022年第4期58-64,共7页李兵 邓林 
安徽省自然科学研究项目(KJ2021A1355)。
质子交换膜燃料电池(Proton Exchange Membrane Fuel Cell,PEMFC)是一种清洁无污染、热效率高、能量密度高的能源装置。极板组是PEMFC的核心部件,其内部流场承担着气体均匀分布、水热管理、传导电子的重要作用。由于金属泡沫流场内部是...
关键词：质子交换膜燃料电池 金属泡沫 流场 极板组 
窑头电除尘极板的在线修复
《水泥》2013年第9期57-57,共1页赵云峰 
我公司5000t/d生产线窑头配BS930-34/12.5/3×10/0.4高压静电除尘器,共3个电场。由于操作异常,除尘器电场内部温度高达500℃,3个电场的极板变形严重,除尘器无法正常运行。根据常规修复方法,需更换3个电场极板,修复时间需20天。
关键词：高压静电除尘器 在线修复 场极板 窑头 5000t d生产线 内部温度 正常运行 修复方法 
700V nLDMOS击穿电压参数设计被引量：1
《电子与封装》2011年第7期35-38,43,共5页文燕 张枫 李天贺 李娜 
为了不增加器件成本,方便和低压器件集成到一起时实现自主隔离,因而迫切需要解决既能兼容普通半导体材料工艺又能达到相应技术性能要求的器件设计。为此设计了一种采用NWELL而非N-外延层作为nLDMOS的漂移区,在漏源极两端都加上了场极板...
关键词：NLDMOS 漂移区 场极板 击穿电压 
分布式源场极板结构射频LDMOS器件的设计被引量：1
《国外电子测量技术》2010年第11期38-41,共4页陈文兰 
为了减小射频LDMOS器件中场极板寄生电容,提出一种具有分布式源场极板结构的射频LDMOS器件,给出了器件结构及工艺流程。借助微波EDA软件AWR对场极板进行了三维电磁仿真优化设计。仿真及测试结果表明,所设计的分布式源场极板结构在不影...
关键词：射频LDMOS 场极板 寄生电容 射频性能 
500V体硅N-LDMOS器件的研究
《电子器件》2008年第2期508-510,515,共4页李栋良 孙伟锋 
借助半导体工艺模拟软件Tsuprem4和Medici,对耐压500V的体硅N-LDMOS器件进行详细模拟。在模拟过程中,综合考虑了内场限环和场极板技术来弱化表面栅场板边缘和漏端的峰值电场,分析了场限环的长度,注入剂量等参数对耐压的影响。优化后该...
关键词：N-LDMOS 内场限环 场极板 漂移区 击穿电压 体硅 
降低窑头废气温度的措施
《新世纪水泥导报》2007年第4期50-50,共1页支俊秉 孙八虎 段建宁 
1 存在的问题 我公司1000t／d熟料新型干法水泥生产线窑头废气温度在正常生产时温度为250℃左右，但常有半小时持续350℃，偶尔短时出现450℃，大大超出了窑头电收尘器的进气温度要求，使得一电场极板严重变形，收尘效果下降。
关键词：废气温度 窑头 干法水泥生产线 温度要求 电收尘器 收尘效果 场极板 熟料 
高压PLDMOS器件的优化设计
《电子与封装》2007年第1期23-28,共6页肖金玉 
借助半导体专业软件Tsuprem-4和Medici详细研究了漂移区的长度、浓度以及结深,沟道区的长度、浓度,场极板的长度对高压PLDMOS击穿电压的影响。最终得到一组最佳的PLDMOS器件的参数。优化设计的高压PLDMOS器件的流片测试结果为：关态和...
关键词：PLDMOS 漂移区 沟道区 场极板 
高压SOI-LDMOS截止频率研究
《微电子学》2006年第6期736-739,共4页孙伟锋 俞军军 易扬波 陆生礼 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2004AA1Z1060);江苏省高等学校研究生创新计划资助项目(XM04-30);东南大学优秀博士学位论文基金资助项目(YBJJ0413)
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsu-prem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止...
关键词：SOI-LDMOS 截止频率 栅氧化层 漂移区 场极板 
多场极板LEDMOS表面电场和导通电阻研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2006年第2期157-161,共5页孙伟锋 易扬波 陆生礼 
国家"863"计划资助(NO.2004AA1Z1060);江苏省高等学校研究生创新计划项目资助(NO.XM04-30);东南大学优秀博士学位论文基金项目资助(NO.YBJJ0413)
研究了常规LEDM O S,带有两块多晶硅场极板LEDM O S以及带有两块多晶硅场极板和一块铝场极板的LEDM O S表面电场分布情况,重点研究了多块场极板在不同的外加电压下,三种LEDM O S的表面峰值电场和导通电阻的变化情况。模拟结果和流水实...
关键词：表面电场 导通电阻 击穿电压 场极板 
一种新型凹源HV-NMOS器件研究
《固体电子学研究与进展》2004年第3期286-290,共5页孙伟锋 易扬波 吴烜 王平 吴建辉 
国家"8 6 3"超大规模集成电路专项资助课题 ( No.2 0 0 2 AA1 Z1 5 5 0
设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特...
关键词：高压N型金属-氧化物-半导体 凹源 缓冲区 场极板 击穿电压 
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