SOI-LDMOS

作品数：7被引量：19H指数：2
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相关期刊：《Journal of Semiconductors》《微电子学》《Chinese Physics B》《电子元件与材料》更多>>
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A super-junction SOI-LDMOS with low resistance electron channel被引量：2
《Chinese Physics B》2021年第5期607-612,共6页Wei-Zhong Chen Yuan-Xi Huang Yao Huang Yi Huang Zheng-Sheng Han 
A novel super-junction LDMOS with low resistance channel(LRC),named LRC-LDMOS based on the silicon-on-insulator(SOI)technology is proposed.The LRC is highly doped on the surface of the drift region,which can significa...
关键词：LDMOS breakdown voltage(BV) specific on resistance(R_(on sp)) figure of merit(FOM) 
一种提高SOA能力的厚膜SOI-LDMOS结构
《微电子学》2019年第3期436-440,共5页周峰 
江苏省自然科学基金资助项目(BK20130021)
在高压驱动芯片中,厚膜SOI-LDMOS能起到电平移位的作用。为确保芯片能够长时间稳定工作,需要LDMOS具有大范围的SOA能力。提出一种在源端N+区域引入PN间隔技术的新结构。通过研究,确定了最优PN间隔比例。对最优结构进行测试,结果表明,器...
关键词：SOI-LDMOS PN间隔 SOA能力 电平移位 
复合埋层上的薄层SOI-LDMOS功率器件被引量：1
《电子元件与材料》2012年第12期42-45,共4页阳小明 蔡育 李天倩 王军 卿朝进 
四川省重点学科基金资助项目(No.SZD0503-09-0);教育部春晖计划基金资助项目(No.Z2011091)
为了提高SOI-LDMOS功率器件击穿电压及相关性能,针对薄层SOI-LDMOS功率器件提出了一种新结构,在新结构中引入了复合埋层,它由p埋层与Si3N4绝缘介质埋层构成。复合埋层不仅改善了比导通电阻与耐压的关系,而且还缓解了自热效应。仿真结果...
关键词：SOI-LDMOS功率器件 复合埋层 击穿电压 
漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型
《西南民族大学学报（自然科学版）》2009年第2期332-335,共4页阳小明 李天倩 
为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比导通电阻的良好折衷,提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构.利用漂移区槽氧和栅、漏场板优化横向电场提高了横向耐压和漂移区的渗杂浓度.借助二维仿真软件对该器件的耐压和比导通电阻特性进行了研...
关键词：绝缘体上的硅 击穿电压 比导通电阻 槽氧 
高压SOI-LDMOS截止频率研究
《微电子学》2006年第6期736-739,共4页孙伟锋 俞军军 易扬波 陆生礼 
国家高技术研究发展(863)计划资助项目(2004AA1Z1060);江苏省高等学校研究生创新计划资助项目(XM04-30);东南大学优秀博士学位论文基金资助项目(YBJJ0413)
建立了高压SOI-LDMOS截止频率ft的提取方法,并借助半导体器件专业软件Tsu-prem-4和Medici,对截止频率ft与栅源电压Vgs和漏源电压Vds的关系进行了分析;研究了栅氧化层厚度、漂移区注入剂量、SOI层厚度和场极板长度等四个关键参数对截止...
关键词：SOI-LDMOS 截止频率 栅氧化层 漂移区 场极板 
具有电阻场板的薄膜SOI-LDMOS的精确解析被引量：3
《Journal of Semiconductors》2003年第9期977-982,共6页杨洪强 郭丽娜 郭超 韩磊 陈星弼 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6 9776 0 4 1)~~
介绍了一种对具有电阻场板的薄膜SOI LDMOS的精确解析设计方法 .在对电场分析的基础上 ,提出了新的电离率模型 ,并求出了电离率积分的准确路径 ,进而得到击穿电压、漂移区掺杂、漂移区长度与SOI硅层厚度、埋氧层厚度的关系 .模拟结果表...
关键词：SOI 电阻场板 横向双扩散MOS管 埋氧层 电离率 击穿电压 比导通电阻 
具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS的耐压特性被引量：15
《Journal of Semiconductors》2003年第2期194-197,共4页罗卢杨 方健 罗萍 李肇基 
提出了一种具有降场电极 U形漂移区 SOI- L DMOS,借助 2 D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析 ,结果证明该结构在与 RESURF结构相同的耐压下 ,具有器件长度小 ,漂移区浓度高 ,导通电阻小的特点 .这表明降场电极是一种缓和漂移区...
关键词：降场电极 U形漂移区 耐压特性 SOI LDMOS RESURF 
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