潘园园

作品数：4被引量：4H指数：1
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供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
发文主题：热丝化学气相沉积P型光电微结构晶化率更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《电子器件》《人工晶体学报》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金：江苏高校优势学科建设工程资助项目国家高技术研究发展计划更多>>
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沉积气压对纳米晶硅薄膜晶化率与电输运性能的影响被引量：1
《真空科学与技术学报》2013年第2期110-114,共5页潘园园 沈鸿烈 张磊 吴天如 江丰 
国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2006AA03Z219);江苏高校优势学科建设工程资助项目
采用热丝化学气相沉积法在不同气压(1～8 Pa)下沉积了p型纳米晶硅薄膜,研究了沉积气压对薄膜晶化率和电输运性能的影响。结果表明,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸随沉积气压升高而增大,而当沉积气压超过6 Pa后,薄膜的晶化率和平均晶粒尺寸...
关键词：沉积气压 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 晶化率 电输运性能 
硼掺杂对热丝CVD法制备纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响
《真空科学与技术学报》2012年第6期509-513,共5页潘园园 沈鸿烈 吴天如 张磊 刘斌 
国家高技术研究发展计划(863)资助项目(2006AA03Z219);江苏高校优势学科建设工程资助项目
采用热丝化学气相沉积法制备了不同B2H6掺杂比例（B2H6/SiH4为2%-15%）的p型纳米晶硅薄膜,通过探索B2H6掺杂比例、晶化率、光学带隙和电学性能（电导率、载流子浓度、霍尔迁移率）之间的关系以及薄膜掺杂机理来研究B2H6掺杂比例对薄膜...
关键词：掺杂比例 硼掺杂 纳米晶硅 热丝化学气相沉积 电导率 
灯丝温度对热丝CVD法制备p型氢化纳米晶硅薄膜微结构与光电性能的影响被引量：3
《人工晶体学报》2012年第2期284-289,共6页潘园园 沈鸿烈 张磊 吴天如 江丰 
国家高技术研究发展计划(863)(2006AA03Z219)资助项目;江苏高校优势学科建设工程资助项目
本文采用热丝化学气相沉积法在不同灯丝温度(1650～1850℃)下沉积了p型氢化纳米晶硅薄膜,研究了灯丝温度对薄膜微结构、光学性能及电学性能的影响。结果表明,随着灯丝温度的升高,薄膜的晶化率先增大后略微减小,最大值是55.5%。载流子浓...
关键词：灯丝温度 氢化纳米晶硅 热丝化学气相沉积 微结构 电学性能 
射频磁控溅射法制备AZO/p-Si异质结及其性能研究
《电子器件》2011年第6期621-624,共4页刘斌 沈鸿烈 岳之浩 江丰 冯晓梅 潘园园 
国家863计划项目(2006AA03Z219);江苏高校优势学科建设工程资助项目
利用射频磁控溅射法,在p-Si衬底上生长了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,并进而制备了AZO/p-Si异质结。X射线衍射仪、紫外-可见光分光光度计、四探针测试仪和霍尔效应测试仪测量表明,AZO薄膜具有良好的结晶质量、光学和电学特性。暗态下的I-V测...
关键词：射频磁控溅射 AZO/p—Si异质结 I-V特性 太阳电池 
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