王源

作品数：3被引量：7H指数：1
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供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文主题：MOSFET6H-SIC伏安特性基源肖特基接触更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《计算物理》《西安电子科技大学学报》《物理学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家部委预研基金更多>>
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功率AlGaAs/GaAs HBT自加热频率特性
《计算物理》2003年第5期467-470,共4页王源 张义门 张玉明 
　提出了一种功率AlGaAs/GaAsHBT的自加热温度模型,讨论了在大电流条件下,器件晶格温度升高和基区扩展效应对HBT器件频率特性的影响,并对器件的晶格温度、截止频率和最高振荡频率在自加热条件下的变化分别进行了计算和模拟.
关键词：功率AlGaAs/GaAsHBT 自加热 温度模型 频率特性 异质结双极性晶体管 晶格温度 截止频率 最高振荡频率 
6H-SiC肖特基源漏MOSFET的模拟仿真研究被引量：6
《物理学报》2003年第10期2553-2557,共5页王源 张义门 张玉明 汤晓燕 
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 2 76 0 4 7);重点实验室基金 (批准号 :514 32 0 50 10 1DZ0 1)资助的课题~~
给出了一种新型SiCMOSFET——— 6H SiC肖特基源漏MOSFET .这种器件结构制备工艺简单 ,避免了长期困扰常规SiCMOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高、晶格损伤大 ,注入激活率低等问题 .分析了该器件的电流输运机理 ,并通过MEDICI模...
关键词：碳化硅 MOSFET 肖特基源漏 模拟 仿真 势垒高度 伏安特性 6H-SIC 肖特基接触 
功率GaAs-HBT热分布的解析模型被引量：1
《西安电子科技大学学报》2001年第5期625-629,共5页王源 张义门 张玉明 
国家部委预研基金资助项目 ( 98J8 1 2DZ0 12 2 )
通过解析求解热传导方程并耦合PN结直流特性方程 ,建立了多指AlGaAs/GaAsHBT的热电耦合解析模型 ,给出了相应的算法 ,得到异质结双极型晶体管的电流分布和温度分布 ,讨论了发射极镇流电阻、发射极条长、条宽、衬底厚度和指间间距对电流...
关键词：热电耦合解析模型 异质结双极型晶体管 砷化镓 
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