袁远

作品数：2被引量：1H指数：1
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发文主题：纳米压印技术纳米压印透射光栅硅非晶化更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《南京大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》更多>>
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基于纳米压印技术制备200nm周期金自支撑透射光栅被引量：1
《南京大学学报（自然科学版）》2009年第4期517-522,共6页袁远 顾艳妮 李志炜 张鉴 袁长胜 葛海雄 陈延峰 
国家高技术研究发展计划(2007AA03Z334)
采用纳米压印技术作为制备亚微米周期光栅图案的核心技术,并结合反应离子刻蚀,电子束蒸镀,微电镀,紫外光刻,湿法刻蚀成功制作了面积为5 mm×8 mm、周期为200 nm、占空比近1∶1的大面积金自支撑透射光栅.首先利用紫外光固化纳米压印技术...
关键词：纳米压印 透射光栅 微电镀 反应离子刻蚀 
杂质对离子注入射程端缺陷的影响
《Journal of Semiconductors》1992年第8期493-498,T002,共7页鲍希茂 华雪梅 袁远 洪建明 
本文研究了注入杂质对预非晶化硅的射程端缺陷的影响.提出:在固相外延时,来自非晶层内的空位与来自射程端的硅间隙原子形成相向扩散流.注入的杂质可以俘获点缺陷,从而影响了点缺陷的相向扩散流,P促进射程末端缺陷的分解,而B促进其聚结.
关键词：离子注入 硅 非晶化 射程 缺陷 
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