谢伦军

作品数：4被引量：21H指数：3
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供职机构：西安交通大学理学院应用物理系更多>>
发文主题：发光特性光致发光ZNO薄膜MOCVD生长受激辐射更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《半导体光电》《发光学报》更多>>
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ZnO薄膜表面和边缘的发光特性(英文)被引量：4
《发光学报》2006年第6期910-916,共7页谢伦军 陈光德 竹有章 汪 屿 
国家自然科学基金资助项目(10474078)~~
研究了分子束外延方法生长的ZnO薄膜的光学特性,首先测量样品反射光谱,然后重点研究其光致发光光谱。实验中通过改变激发光的强度,以及采用波导配置和不同的实验几何配置等手段,观察到了ZnO薄膜中起源于激子-激子散射和电子-空穴等离子...
关键词：ZNO 光致发光 Fabry-Perot干涉 波导 
激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜的发光特性被引量：12
《发光学报》2006年第2期215-220,共6页谢伦军 陈光德 竹有章 张景文 杨晓东 徐庆安 侯洵 
国家自然科学基金资助项目(10474078)
研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于3...
关键词：ZNO薄膜 光致发光 电子-空穴等离子体 蓝带发射 
MOCVD生长的InGaN合金的发光特性被引量：5
《发光学报》2005年第5期602-606,共5页竹有章 陈光德 谢伦军 唐远河 邱复生 
国家自然科学基金资助项目(10474078)
研究了用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石基底上生长的InGaN样品的发光特性。样品XRD谱中存在InGaN、In、InN相,表明样品中存在相分离;透射谱能看到由于F-P腔调制引起的震荡;相对氙灯激发发光谱,激光激发的发光谱其发光峰位置发...
关键词：INGAN 光致发光 F—P腔 受激辐射 折射率 
高阻GaN基MSM结构紫外探测器的光电流特性被引量：1
《半导体光电》2003年第5期335-337,共3页苑进社 陈光德 谢伦军 
　用非特意掺杂的高阻GaN薄膜研制了MSM结构紫外探测器。研究发现在5V偏压,365nm光激发条件下,光电流衰减出现振荡现象;响应时间为毫秒量级。未经退火处理,MSM结构的暗态伏安特性呈线性关系,器件的暗电阻出现低阻现象。
关键词：GAN薄膜 MSM结构 光电流特性 
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