黄钟英

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供职机构:厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文主题:INGAAS/INP磷化铟LP-MOCVD激光器MAI更多>>
发文领域:电子电信自然科学总论轻工技术与工程电气工程更多>>
发文期刊:《半导体光电》《合肥工业大学学报(自然科学版)》《厦门大学学报(自然科学版)》更多>>
所获基金:福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
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应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD
《厦门大学学报(自然科学版)》1998年第6期857-860,共4页刘宝林 黄钟英 
利用低压-金属有机化合物蒸汽沉积(LP-MOCVD)的方法研究在生长过程中温度和时间对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阱激光器的p-n结结位.探讨在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时,P...
关键词:LP-MOCVD 应变 量子阱 激光器 INGAAS 磷化铟 
InPN+/P太阳电池光谱响应的数值模拟和分析
《厦门大学学报(自然科学版)》1998年第5期696-691,共1页黄钟英 洪火国 陈朝 
国家自然科学基金;福建省自然科学基金
用数值模拟方法对InPN+/P太阳电池在AM1.0下的光谱响应和光电流进行了计算和分析,探讨引起InP太阳电池光谱特性曲线变化的原因,从而获得N+区和P区的最佳掺杂浓度、厚度、表面复合速度等参数,为设计制造InP太阳...
关键词:太阳电池 光谱响应 数值模拟 磷化铟 
K·P方法计算InGaAs/InP应变量子阱的增益矩阵元
《半导体光电》1998年第4期235-238,共4页黄钟英 刘宝林 
应用K·P微扰法计算能带的基本方法,在考虑偏振随波矢变化的情况下,分别计算了无应变、1%压缩应变和1%伸张应变下4.0nm阱宽InGaAs/InP量子阱的增益矩阵元。计算表明,增益矩阵元的偏振因子随波失的变化而发生很...
关键词:K·P方法 应变量子阱 增益矩阵元 半导体激光器 
应用LP-MOCVD方法研制InGaAs/InP应变量子阱LD
《沈阳航空工业学院学报》1998年第3期40-44,共5页黄钟英 刘宝林 
(在CP—MOCVD生长过程中)本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响,并用它来控制InGaAs/InP量子阶激光器的p-n结结位,还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件,得出在0.5%压缩条件...
关键词:LP-MOCVD 应变 量子阱 激光器 铟镓砷 磷化铟 
MAI 集成气体传感器在鉴酒中的应用
《合肥工业大学学报(自然科学版)》1998年第4期116-119,共4页黄钟英 曾云山 陈振湘 徐慎初 
采用美国MAI公司的一种集成气体传感器做实验,利用气体传感器对酒的气味独特的响应曲线,把标准酒的响应曲线,预先存入图象识别电路或计算机的存储器中,再把要鉴别酒的响应曲线与之相比较,就可以鉴别出酒的种类和质量。本实验装...
关键词:集成气体传感器  鉴别 灵敏度 气体传感器 
稀土Er离子注入GaAs:Er光学性质的研究
《厦门大学学报(自然科学版)》1993年第S2期102-104,共3页黄钟英 王飞武 王小军 周必忠 王南钦 
福建省自然科学基金;厦大固体表面物理化学国家重点实验室资助
用离子注入法掺Er,制成发光材料GaAs:Er.探索了离子注入和退火最佳条件,通过对GaAs:Er样品的光致发光谱和吸收光谱的测量,分析、探讨发光中心Er的光激发和能量传输机制.
关键词:离子注入GaAs:Er 光致发光谱 吸收光谱 光激发机制 
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