叶志成

作品数：3被引量：6H指数：1
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供职机构：南开大学泰达应用物理学院更多>>
发文主题：分子束外延INGAAS/GAASGAAS量子阱XGA应变量子阱更多>>
发文领域：理学电子电信更多>>
发文期刊：《发光学报》《人工晶体学报》《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》更多>>
所获基金：国家高技术研究发展计划天津市自然科学基金更多>>
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In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响被引量：6
《发光学报》2011年第2期164-168,共5页叶志成 舒永春 曹雪 龚亮 姚江宏 皮彪 邢晓东 许京军 
天津应用基础研究基金(06YFJZJC01100;08JCYBJC14800);国家"863"计划(2006AA03Z413)资助项目
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。...
关键词：分子束外延 INGAAS/GAAS 应变量子阱 变温光致发光 
Thermodynamic analysis of growth of ternary Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials by molecular-beam epitaxy
《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》2011年第1期146-151,共6页叶志成 舒永春 曹雪 龚亮 皮彪 姚江宏 邢晓东 许京军 
Projects(06YFJZJC01100,08JCYBJC14800)supported by Applied Basic Study Foundation of Tianjin,China;Project(2006AA03Z413)supported by the Hi-tech Research and Development Program of China
Thermodynamic models for molecular-beam epitaxy（MBE） growth of ternary Ⅲ-Ⅴ semiconductor materials are proposed.These models are in agreement with our experimental materials InGaP/GaAs and InGaAs/InP,and reported ...
关键词：semiconductor materials Ⅲ-Ⅴ compounds GROWTH THERMODYNAMICS 
固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析(英文)
《人工晶体学报》2010年第6期1406-1411,共6页曹雪 舒永春 叶志成 皮彪 姚江宏 邢晓东 许京军 
National High Technology Research and Development Program of China(2006AA 03Z413);Natural Science Foundation of Tianjin,China(08JCYBJC14800)
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束...
关键词：热力学 固态源分子束外延 INGAP GAAS 异质结构 
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