李钧

作品数:6被引量:2H指数:1
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供职机构:中国科学院上海原子核研究所更多>>
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在线Nielsen源的研制
《核技术》1996年第4期224-228,共5页顾嘉辉 张步发 周建中 陆嵘 余笑寒 刘静怡 石双惠 关安民 石华君 李钧 
中国科学院"八.五"重大基础研究项目
描述如何简单地把标准Nielsen源改建成在线离子源,对它的一些性能进行测试并与标准离子源作了比较,讨论了它们的差别和产生的原因。实验结果表明,两离子源的放电特性无差别,改建后的离子源可考虑用来进行整体靶离子源试验。
关键词:离子源 放电室 轴向磁场 
低能离子注入的应用
《电子学报》1996年第2期86-88,共3页关安民 罗潮渭 李钧 石华君 林成鲁 夏冠群 
国家自然科学基金;中国科学院离子束开放实验室资助
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层,以满足器件高密度和高速度的要求,低能离子注入是形成浅结的最有效手段,本文介绍了低能离子注入硅和GaAs衬底中形成0.1μm以下的硅超浅结和GaAs超薄有源层,以及它们在一-...
关键词:低能离子注入 超浅结 超薄有源层 
GaAs低能Si^+及SiF^+离子注入研究
《微细加工技术》1993年第3期23-27,共5页关安民 李钧 石华君 夏冠群 沈鸿烈 江炳尧 朱南昌 陈酋善 
国家自然科学基金;中国科学院离子束开放实验室资助
本文对30keV Si^+和分子离子S_1F^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si^+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60%,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态S...
关键词:离子注入 砷化镓  氟化硅 
低能全元素离子注入机被引量:2
《微细加工技术》1993年第3期12-16,共5页关安民 李钧 石华君 罗潮渭 夏冠群 
国家自然科学基金资助
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5~60keV;离子品种是从~1H到^(209)Bi;最低能量5keV的As^+、Se^+等重离子的靶流为2~5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3%;注入温度:室温~400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超...
关键词:离子注入机 超薄有源层 掺杂 
820离子源在600kV离子注入机上的应用
《核技术》1989年第4期229-232,共4页关安民 孙义林 耿海阳 李钧 蒋新元 
文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。
关键词:离子源 离子注入机 离子品种 高能 
用于离子注入机的Freeman型离子源的研制
《核技术》1989年第1期37-43,共7页姜苏蔚 李钧 杜建敏 桑和康 刘来凤 蒋新元 
本文介绍了一台适用于离子注入机的Freeman型离子源,该源结构简单、操作方便、功耗低、造价便宜。通过对离子源放电室结构、引出系统的改进,可获得接近旁轴条件、品质优良的离子束,束流在0.5—1mA之间。用常规的双缝法对束流发射度进行...
关键词:离子源 离子注入机 放电室 
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