超薄有源层

作品数：6被引量：8H指数：2
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超薄有源层谐振腔增强型调制器被引量：4
《光子学报》2004年第10期1196-1199,共4页杨晓红 梁琨 韩勤 牛智川 杜云 吴荣汉 
国家自然基金 (6 0 1370 2 0 );国家" 973计划"(TG2 0 0 0 0 36 6 0 3;2 0 0 1CB30 95 0 6 )资助项目
提出利用超薄有源层制备高性能谐振腔增强型 (RCE)半导体电吸收调制器件的可能性 ,并与波导型器件进行性能对比 ;对透射和反射两种类型器件优化分析了器件结构 ,进行了性能比较 ,结果表明 :在插入损耗相当的情况下 。
关键词：调制器 量子阱 RCE 
LPE生长外延片超薄有源层结构的SEM研究
《长春光学精密机械学院学报》1997年第4期25-26,40,共2页王晓华 任大翠 
通过对液相外延（LPE）生长的外延片不同处理方法的研究，摸索出一条利用扫描电子显微镜（SEM）来观测有源区厚度的有效方法──蒸金法，最优可观察有源区厚度20nm，对设计厚度为18nm结构来说[1]，这是一种便利而有效的观察手段。
关键词：液相外延 激光器 超薄层 量子阱 外延片 SEM 
低能离子注入的应用
《电子学报》1996年第2期86-88,共3页关安民 罗潮渭 李钧 石华君 林成鲁 夏冠群 
国家自然科学基金;中国科学院离子束开放实验室资助
集成电路的发展要求制备出超浅结或超薄有源层，以满足器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及它们在一－...
关键词：低能离子注入 超浅结 超薄有源层 
低能离子注入的应用
《科技通讯（上海）》1995年第2期29-32,共4页关安民 罗潮渭 
集成电路的发展要求制备了出超浅结或超薄有源层，以满意器件高密度和高速度的要求，低能离子注入是形成浅结的最有效手段，本文介绍了低能离子注入硅和ＧａＡｓ衬底中形成０．１μｍ以下的硅超浅结和ＧａＡｓ超薄有源层，以及其在一些...
关键词：低能离子注入 超薄有源层 离子注入 半导体 
液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器被引量：2
《光学学报》1995年第10期1288-1291,共4页任大翠 李含轩 薄报学 
报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５～３５ｎｍ...
关键词：液相外延生长 超薄有源层 半导体激光器 
低能全元素离子注入机被引量：2
《微细加工技术》1993年第3期12-16,共5页关安民 李钧 石华君 罗潮渭 夏冠群 
国家自然科学基金资助
本文介绍了一台低能全元素离子注入机。它的能量范围为5～60keV;离子品种是从~1H到^(209)Bi;最低能量5keV的As^+、Se^+等重离子的靶流为2～5μA;注入靶片φ50;注入均匀度σ<3％;注入温度:室温～400℃可调。已制备出0.1μm以下的GaAs超...
关键词：离子注入机 超薄有源层 掺杂 
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