朱南昌

作品数：18被引量：20H指数：3
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：X射线双晶衍射双晶衍射X射线超晶格离子注入更多>>
发文领域：电子电信理学机械工程更多>>
发文期刊：《物理学报》《应用科学学报》《微细加工技术》《红外与毫米波学报》更多>>
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高能离子注入硅的无损表征
《电子科学学刊》1996年第1期104-108,共5页俞跃辉 朱南昌 邹世昌 周筑颖 赵国庆 
将能量为3MeV,剂量为5×10^(15)cm^(-2)的硼离子注入(100)硅单晶,经1050℃,20s退火形成导电埋层。本文应用X-射线双晶衍射分析高能离子注入硅的损伤演变。通过分析高能离子注入体系和自由载流子等离子体效应的光学响应,应用计算机模拟...
关键词：高能 离子注入 无损表征 硅 
HgCdTe块晶不完整性的X射线双晶衍射研究
《Journal of Semiconductors》1995年第9期673-676,共4页施天生 朱南昌 沈杰 方家熊 
中国科学院重大基础研究基金
利用高精度Ｘ射线双晶衍射术，研究了碲熔剂法生长的Φ１５ｍｍ的Ｈｇ０．８Ｃｄ０．２Ｔｅ块晶片的结构不完整性，发现工艺大致相同的块晶晶体完整性差别十分明显，但它们的晶格不完整性沿径向的分布具有共同特征─呈Ｗ形，这表明晶格...
关键词：HGCDTE X射线 双晶衍射 外延生长 
（ZnSe／Cdse）ZnSe／GaAs（001）多量子阱材料的X射线双晶衍
《红外与毫米波学报》1995年第3期167-174,共8页朱南昌 李润身 陈京一 彭中灵 袁诗鑫 
给出了通过测量３条Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线计算多层外延材料各层成份、界面共格度及晶向偏角的方法，并对（ＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ）ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（００１）多量子阱材料的结构、应变及界面进行了研究．结果表明：ＺｎＳｅ缓冲层与...
关键词：X射线双晶衍射 多量子阱 硒化镉 
白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱
《应用科学学报》1995年第1期39-45,共7页顾宏 夏冠群 陈京一 朱南昌 沈鸿烈 周祖尧 
国家自然科学基金和科学院离子束开放实验室资助
对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测...
关键词：离子注入 双晶衍射 砷化镓 硅 白光 退火 半导体 
不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究被引量：2
《Journal of Semiconductors》1995年第2期118-124,共7页朱南昌 陈京一 李润射 许顺生 周国良 张翔九 俞鸣人 
中国科学院上海冶金研究所青年科学基金;国家自然科学基金
本文通过Ｘ射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５／Ｓｉ应变层超晶格的结构及其完整性，结果表明：在３５０－５５０℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶棺材料，并...
关键词：超晶格材料 X射线 双晶衍射 生长 外延生长 
外延层组分界面状况的X射线双晶衍射测定被引量：4
《Journal of Semiconductors》1995年第1期42-47,共6页朱南昌 李润身 陈京一 许顺生 
中国科学院上海冶金研究所青年基金
本文介绍了一种用Ｘ射线双晶衍射仪测定外延层与衬底界面状况并同时测定外延层点阵常数及组分的方法，只需测量三个衍射，并考虑了晶体表面偏离对称轴的影响．同时，引入了表征界面状态的界面共格因子，讨论了它的意义．实验结果表明：...
关键词：外延层 X射线 双晶衍射 测定 
超晶格（CdTe－ZnTe）／ZnTe／GaAs（001）红外材料的X射线测定
《红外与毫米波学报》1994年第1期59-64,共6页钟福民 陈京一 朱南昌 李杰 袁诗鑫 
中国科学院上海冶金研究所青年基金
用Ｘ射线衍射并结合Ｘ射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法，对简单和复杂两种结构的（ＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ）／ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ（００１）应变超晶格材料的结构和完整性进行了研究，得到了它的结构参数．
关键词：X射线衍射 计算机模拟 红外材料 
(CdTe—ZuTe)/ZnTe/GaAs(100)超晶格结构的X射线测定
《应用科学学报》1993年第4期333-336,共4页钟福民 陈京一 朱南昌 李杰 袁诗鑫 
中国科学院上海冶金研究所青年基金资助课题
用X射线衍射,并结合X射线动力学衍射理论模型的计算机模拟方法,对(CdTe-ZnTe)/ZnTe/GaAs(100)应变超晶格材料的结构进行了研究,得到了其结构参数和信息.
关键词：X射线衍射 超晶格 测定 半导体材料 
GaAs低能Si^+及SiF^+离子注入研究
《微细加工技术》1993年第3期23-27,共5页关安民 李钧 石华君 夏冠群 沈鸿烈 江炳尧 朱南昌 陈酋善 
国家自然科学基金;中国科学院离子束开放实验室资助
本文对30keV Si^+和分子离子S_1F^+注入半绝缘GaAs的行为进行了研,究注入Si^+样品的Si原子纵向分布,与相同条件下用SICT模拟程序理论计算出的分布相一致,经灯光900℃10秒RTA,电激活率可达60％,电化学C—V测得的载流子纵向分布与注入态S...
关键词：离子注入 砷化镓 硅 氟化硅 
单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第11期690-697,共8页朱南昌 李润身 陈京一 许顺生 
中国科学院上海冶金研究所青年基金
本文在利用X射线动力学和运动学衍射理论对单晶外延层材料的双晶摇摆曲线进行计算分析的基础上,给出了测定单晶外延层厚度和质量的方法.当外延层的厚度较薄时,外延层衍射峰的衍射强度正比于厚度的平方,半峰宽反比于厚度.当厚度较厚时,...
关键词：衍射 单晶 外延层 X射线 
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