胡恒升

作品数：4被引量：9H指数：1
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供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文主题：集成电路充电效应VLSITDDB击穿特性更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电子学报》《功能材料与器件学报》更多>>
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薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析被引量：1
《电子学报》2001年第11期1522-1525,共4页姚峰英 胡恒升 张敏 
本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了...
关键词：集成电路 薄栅介质 可靠性 缺陷统计分析 
等离子体充电效应在薄氧化硅层产生陷阱密度的确定
《功能材料与器件学报》2001年第1期59-62,共4页胡恒升 张敏 
通过比较经过和未经过等离子暴露的两种薄栅氧化硅层在恒电流条件下击穿时间 tbd的差 异，计算出在等离子体暴露过程中由充电效应导致的隧穿电流在天线比为 2000的 MOS电容栅氧 化硅层中产生的陷阱密度为 2.35× 1018cm-3，表明充电效...
关键词：等离子体 暴露 击穿时间 隧穿电流 集成电路 氧化硅 陷阱密度 刻蚀 
反应离子刻蚀工艺中的充电效应被引量：1
《电子学报》2000年第11期81-83,67,共4页胡恒升 张敏 
本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .
关键词：反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应 
TDDB击穿特性评估薄介质层质量被引量：8
《电子学报》2000年第5期80-83,74,共5页胡恒升 张敏 林立谨 
与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质...
关键词：薄介质层 VLSI 集成电路 TDDB 击穿特性 
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