张甫权

作品数:6被引量:31H指数:3
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供职机构:北京真空电子技术研究所更多>>
发文主题:碳纳米管性能研究栅控场致发射阵列更多>>
发文领域:电子电信理学更多>>
发文期刊:《真空电子技术》《电子学报》《液晶与显示》《真空科学与技术学报》更多>>
所获基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
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利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极被引量:3
《真空科学与技术学报》2010年第1期1-5,共5页陈长青 丁明清 李兴辉 白国栋 张甫权 冯进军 
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室的资助.
通过普通的紫外(UV)光刻工艺,结合“变倾角缩口”新技术,研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管(CNTs)阵列阴极。扫瞄电镜分析表明,随着缩口尺寸的依次减小(从0.6μm到0.4μm,最后到0.2μm),发射单元内CNTs的根数也不断减少...
关键词:UV光刻技术 变倾角缩口 定向碳纳米管的生长 场发射阵列冷阴极 
微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究被引量:12
《真空科学与技术学报》2007年第5期363-366,共4页陈长青 丁明清 李兴辉 白国栋 张甫权 冯进军 邵文生 
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室的资助
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强...
关键词:微图形 定向碳纳米管 场发射阵列冷阴极 直流等离子体增强化学气相沉积 
提高钼尖锥场致发射阵列阴极发射性能的研究被引量:7
《液晶与显示》2004年第5期343-348,共6页李兴辉 冯进军 白国栋 丁明清 张甫权 廖复疆 
国防科技预先研究和重点实验室基金资助项目(No.51432060203DZ2201)
在利用微细加工技术和双向薄膜沉积工艺制得的钼尖锥场致发射阵列阴极进行实用化的过程中,目前存在的两个主要障碍是,阴极发射电流密度低和工作不稳定。通过对阴极发射失效机理和失效阴极的SEM照片进行研究认为,导致电流密度较低的原因...
关键词:场致发射阵列阴极 限流电阻 发射均匀性 发射稳定性 
场发射阵列阴极在行波管中的应用
《真空电子技术》2003年第1期12-14,34,共4页杜英华 杨崇峰 廖复疆 李炳炎 李兴辉 白国栋 张甫权 丁明清 
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室国防预研基金支持
给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法 ,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题 。
关键词:行波管 场发射阵列阴极 FEA 电子源 电子枪 
钼尖场致发射阵列阴极的性能研究被引量:10
《液晶与显示》2002年第1期39-43,共5页冯进军 丁明清 张甫权 李兴辉 白国栋 彭自安 廖复疆 
电科院基金项目资助 (DJ3.31 )
利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、...
关键词:平板显示 钼尖场致发射阵列阴极 发射稳定性 失效机理 射频器件 显示器件 
长脉冲激光沉积原位生成YBaCuO超导膜
《电子学报》1992年第8期80-82,共3页张甫权 李庠 潘萍 薛瑞君 
用长脉冲激光(脉冲宽度150μs,波长1.06μm)辐照高温烧结的YBa_2Cu_3O_(7-x)靶,在6Pa的氧气压强下,巳在(100)YSZ单晶衬底上原位生成YBa_2Cu_(?)O_(7-x)超导膜。衬底置于750℃的加热器上,衬底与靶之间的距离5cm,用该法制得的薄膜光亮坚实...
关键词:冲激光沉积 超导薄膜 原位生成 
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